參數(shù)資料
型號： FZT969
廠商： Zetex Semiconductor
英文描述： SOT223 NPN SILICON PLANAR HIGH CURRENT (HIGH PERFORMANCE) TRANSISTOR
中文描述： 采用SOT223 NPN硅平面高電流（高性能）晶體管
文件頁數(shù)： 1/2頁
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代理商： FZT969
SOT223 NPN SILICON PLANAR HIGH CURRENT
(HIGH PERFORMANCE) TRANSISTOR
ISSUE 2 - JANUARY 1996
FEATURES
*
Extremely low equivalent on-resistance;
R
CE(sat)
36m
at 5A
*
7 Amp
continuous collector current (20 Amp peak)
*
Very low saturation voltages
*
Excellent gain charateristics specified upto 20 Amp
*
P
tot
=3 Watts
PARTMARKING DETAILS -
FZT869
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
60
V
Collector-Emitter Voltage
V
CEO
25
V
Emitter-Base Voltage
V
EBO
6
V
Peak Pulse Current
I
CM
20
A
Continuous Collector Current
I
C
7
A
Power Dissipation at T
amb
=25°C
P
tot
3
W
Operating and Storage Temperature Range
T
j
:T
stg
-55 to +150
°C
*The power which can be dissipated assuming the device is mounted in a typical manner on a
P.C.B. with copper equal to 4 inch square minimum
FZT869
C
C
E
B
3 - 271
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PDF描述
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G7S-3A3B-DC24
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