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參數(shù)資料
| 型號： | GS74104TP |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 1M x 4 4Mb Asynchronous SRAM |
| 中文描述： | 100萬× 4 4Mb的異步SRAM |
| 文件頁數(shù)： | 4/12頁 |
| 文件大小： | 422K |
| 代理商： | GS74104TP |
Rev: 1.07 1/2001
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
4/12
1999, Giga Semiconductor, Inc.
GS74104TP/J
Notes:
1.
2.
Tested at T
A
= 25°C, f = 1 MHz
These parameters are sampled and are not 100% tested.
Capacitance
Parameter
Symbol
Test Condition
Max
Unit
Input Capacitance
C
IN
V
IN
= 0 V
5
pF
Output Capacitance
C
OUT
V
OUT
= 0 V
7
pF
DC I/O Pin Characteristics
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min
Max
Input Leakage
Current
I
IL
V
IN
= 0 to V
DD
– 1 uA
1 uA
Output Leakage
Current
I
LO
Output High Z
V
OUT
= 0 to V
DD
–1 uA
1 uA
Output High Voltage
V
OH
I
OH
= –4mA
2.4
—
Output Low Voltage
V
OL
I
LO
= +4mA
—
0.4 V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS74108AGJ-10 | 512K x 8 4Mb Asynchronous SRAM |
| GS74108AGJ-10I | 512K x 8 4Mb Asynchronous SRAM |
| GS74108AGJ-12 | 512K x 8 4Mb Asynchronous SRAM |
| GS74108AGJ-12I | 512K x 8 4Mb Asynchronous SRAM |
| GS74108AGJ-8 | 512K x 8 4Mb Asynchronous SRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS74104TP/J | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:1M x 4 4Mb Asynchronous SRAM |
| GS74104TP-10 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:1M x 4 4Mb Asynchronous SRAM |
| GS74104TP-10I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:1M x 4 4Mb Asynchronous SRAM |
| GS74104TP-12 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x4 SRAM |
| GS74104TP-12I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:1M x 4 4Mb Asynchronous SRAM |
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