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參數(shù)資料
| 型號： | GS74104TP |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 1M x 4 4Mb Asynchronous SRAM |
| 中文描述： | 100萬× 4 4Mb的異步SRAM |
| 文件頁數(shù)： | 6/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 422K |
| 代理商： | GS74104TP |
Rev: 1.07 1/2001
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
6/12
1999, Giga Semiconductor, Inc.
GS74104TP/J
AC Characteristics
* These parameters are sampled and are not 100% tested.
Read Cycle 1: CE = OE = V
IL
, WE = V
IH
Read Cycle
Parameter
Symbol
-8
-10
-12
-15
Unit
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Read cycle time
t
RC
8
—
10
—
12
—
15
—
ns
Address access time
t
AA
—
8
—
10
—
12
—
15
ns
Chip enable access time (CE)
t
AC
—
8
—
10
—
12
—
15
ns
Output enable to output valid (OE)
t
OE
—
3.5
—
4
—
5
—
6
ns
Output hold from address change
t
OH
3
—
3
—
3
—
3
—
ns
Chip enable to output in low Z (CE)
t
LZ
*
3
—
3
—
3
—
3
—
ns
Output enable to output in low Z (OE)
t
OLZ
*
0
—
0
—
0
—
0
---
ns
Chip disable to output in High Z (CE)
t
HZ
*
—
4
—
5
—
6
—
7
ns
Output disable to output in High Z (OE)
t
OHZ
*
—
3.5
—
4
—
5
—
6
ns
t
AA
t
OH
t
RC
Address
Data Out
Previous Data
Data valid
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS74108AGJ-10 | 512K x 8 4Mb Asynchronous SRAM |
| GS74108AGJ-10I | 512K x 8 4Mb Asynchronous SRAM |
| GS74108AGJ-12 | 512K x 8 4Mb Asynchronous SRAM |
| GS74108AGJ-12I | 512K x 8 4Mb Asynchronous SRAM |
| GS74108AGJ-8 | 512K x 8 4Mb Asynchronous SRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS74104TP/J | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:1M x 4 4Mb Asynchronous SRAM |
| GS74104TP-10 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:1M x 4 4Mb Asynchronous SRAM |
| GS74104TP-10I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:1M x 4 4Mb Asynchronous SRAM |
| GS74104TP-12 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x4 SRAM |
| GS74104TP-12I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:1M x 4 4Mb Asynchronous SRAM |
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