參數(shù)資料
型號(hào)： GS74104TP
廠商： GSI TECHNOLOGY
元件分類： DRAM
英文描述： 1M x 4 4Mb Asynchronous SRAM
中文描述： 100萬× 4 4Mb的異步SRAM
文件頁數(shù)： 7/12頁
文件大?。?/td> 422K
代理商： GS74104TP
Rev: 1.07 1/2001
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
7/12
1999, Giga Semiconductor, Inc.
GS74104TP/J
Read Cycle 2: WE = V
IH
* These parameters are sampled and are not 100% tested.
Write Cycle
Parameter
Symbol
-8
-10
-12
-15
Unit
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Write cycle time
tWC
8
—
10
—
12
—
15
—
ns
Address valid to end of write
tAW
5.5
—
7
—
8
—
10
—
ns
Chip enable to end of write
tCW
5.5
—
7
—
8
—
10
—
ns
Data set up time
tDW
4
—
5
—
6
—
7
—
ns
Data hold time
tDH
0
—
0
—
0
—
0
—
ns
Write pulse width
tWP
5.5
—
7
—
8
—
10
—
ns
Address set up time
tAS
0
—
0
—
0
—
0
—
ns
Write recovery time (WE)
tWR
0
—
0
—
0
—
0
—
ns
Write recovery time (CE)
tWR1
0
—
0
—
0
—
0
—
ns
Output Low Z from end of write
tWLZ
*
3
—
3
—
3
—
3
—
ns
Write to output in High Z
tWHZ
*
—
3.5
—
4
—
5
—
6
ns
t
AA
t
RC
Address
t
AC
t
LZ
t
OE
t
OLZ
CE
OE
Data Out
t
HZ
t
OHZ
D
ATA
VALID
High impedance
相關(guān)PDF資料
PDF描述
GS74108AGJ-10 512K x 8 4Mb Asynchronous SRAM
GS74108AGJ-10I 512K x 8 4Mb Asynchronous SRAM
GS74108AGJ-12 512K x 8 4Mb Asynchronous SRAM
GS74108AGJ-12I 512K x 8 4Mb Asynchronous SRAM
GS74108AGJ-8 512K x 8 4Mb Asynchronous SRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
GS74104TP/J 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:1M x 4 4Mb Asynchronous SRAM
GS74104TP-10 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:1M x 4 4Mb Asynchronous SRAM
GS74104TP-10I 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:1M x 4 4Mb Asynchronous SRAM
GS74104TP-12 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x4 SRAM
GS74104TP-12I 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:1M x 4 4Mb Asynchronous SRAM
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