- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄299161 > GS816036BGT-300 (GSI TECHNOLOGY) 512K X 36 CACHE SRAM, 5.3 ns, PQFP100 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | GS816036BGT-300 |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | 512K X 36 CACHE SRAM, 5.3 ns, PQFP100 |
| 封裝： | LEAD FREE, TQFP-100 |
| 文件頁數(shù)： | 7/24頁 |
| 文件大?。?/td> | 444K |
| 代理商： | GS816036BGT-300 |
GS816018/32/36BT-300/250/200/150
Preliminary
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.02 2/2005
15/24
2004, GSI Technology
DC Electrical Characteristics
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min
Max
Input Leakage Current
(except mode pins)
IIL
VIN = 0 to VDD
–1 uA
1 uA
ZZ Input Current
IIN1
VDD ≥ VIN ≥ VIH
0 V
≤ VIN ≤ VIH
–1 uA
1 uA
100 uA
FT Input Current
IIN2
VDD ≥ VIN ≥ VIL
0 V
≤ VIN ≤ VIL
–100 uA
–1 uA
1 uA
Output Leakage Current
IOL
Output Disable, VOUT = 0 to VDD
–1 uA
1 uA
Output High Voltage
VOH2
IOH = –8 mA, VDDQ = 2.375 V
1.7 V
—
Output High Voltage
VOH3
IOH = –8 mA, VDDQ = 3.135 V
2.4 V
—
Output Low Voltage
VOL
IOL = 8 mA
—
0.4 V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS816037T-133I | 512K X 36 CACHE SRAM, 3.5 ns, PQFP100 |
| GS8160E18AT-300 | 1M X 18 CACHE SRAM, 5 ns, PQFP100 |
| GS8160V18AGT-150IT | 1M X 18 CACHE SRAM, 7.5 ns, PQFP100 |
| GS8160V36BGT-150I | 512K X 36 CACHE SRAM, 7.5 ns, PQFP100 |
| GS8160ZV18AGT-150I | 1M X 18 ZBT SRAM, 7.5 ns, PQFP100 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS816036BT-150 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS816036BT-150I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS816036BT-150IV | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS816036BT-150V | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS816036BT-200 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。