參數(shù)資料
型號(hào)： GS816272C-150T
廠商： GSI TECHNOLOGY
元件分類： SRAM
英文描述： 256K X 72 CACHE SRAM, 7.5 ns, PBGA209
封裝： 14 X 22 MM, 1 MM PITCH, BGA-209
文件頁(yè)數(shù)： 3/31頁(yè)
文件大?。?/td> 1583K
代理商： GS816272C-150T
N
ot
R
ec
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D
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n—D
isc
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Pr
od
uc
t
GS816272C
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 2.18 11/2005
11/31
1999, GSI Technology
50% tKC
VSS – 2.0 V
50%
VSS
VIH
Undershoot Measurement and Timing
Overshoot Measurement and Timing
50% tKC
VDD + 2.0 V
50%
VDD
VIL
Capacitance
oC, f = 1 MHZ, VDD
Parameter
Symbol
Test conditions
Typ.
Max.
Unit
Input Capacitance
CIN
VIN = 0 V
4
5
pF
Input/Output Capacitance
CI/O
VOUT = 0 V
6
7
pF
Note:
These parameters are sample tested.
AC Test Conditions
Parameter
Conditions
Input high level
VDD – 0.2 V
Input low level
0.2 V
Input slew rate
1 V/ns
Input reference level
VDD/2
Output reference level
VDDQ/2
Output load
Fig. 1
Notes:
1. Include scope and jig capacitance.
2. Test conditions as specified with output loading as shown in Fig. 1
unless otherwise noted.
3. Device is deselected as defined by the Truth Table.
DQ
VDDQ/2
50
30pF*
Output Load 1
* Distributed Test Jig Capacitance
(TA = 25
= 2.5 V)
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PDF描述
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