參數(shù)資料
型號(hào)： GS820H32GT-138I
廠商： GSI TECHNOLOGY
元件分類： SRAM
英文描述： 64K X 32 CACHE SRAM, 9.7 ns, PQFP100
封裝： TQFP-100
文件頁(yè)數(shù)： 3/23頁(yè)
文件大?。?/td> 342K
代理商： GS820H32GT-138I
Rev: 1.03 2/2000
11/23
1999, Giga Semiconductor, Inc.
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
D
GS820H32T/Q-150/138/133/117/100/66
Notes:
1. Include scope and jig capacitance.
2. Test conditions as specified with output loading as shown in Fig. 1 unless otherwise noted.
3. Output Load 2 for tLZ, tHZ, tOLZ and tOHZ.
4. Device is deselected as defined by the Truth Table.
AC Test Conditions
Parameter
Conditions
Input high level
2.3V
Input low level
0.2V
Input slew rate
1V/ns
Input reference level
1.25V
Output reference level
1.25V
Output load
Fig. 1& 2
DC Electrical Characteristics
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min
Max
Input Leakage Current
(except mode pins)
IIL
VIN = 0 to VDD
-1uA
1uA
ZZ Input Current
IINZZ
VDD ≥ VIN ≥ VIH
0V
≤ V
IN ≤ V
IH
-1uA
1uA
300uA
Mode Pin Input Current
IINM
VDD ≥ VIN ≥ VIL
0V
≤ V
IN ≤ V
IL
-300uA
-1uA
1uA
Output Leakage Current
IOL
Output Disable,
VOUT = 0 to VDD
-1uA
1uA
Output High Voltage
VOH
IOH = - 8mA, VDDQ=2.375V
1.7V
Output High Voltage
VOH
IOH = -8mA, VDDQ=3.135V
2.4V
Output Low Voltage
VOL
IOL = 8mA
0.4V
DQ
VT=1.25V
50
30pF*
DQ
2.5V
Output Load 1
Output Load 2
225
225
5pF*
* Distributed Test Jig Capacitance
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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