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參數(shù)資料
| 型號： | GS840E18A |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 英文描述： | 4Mb（256K x 18Bit) Synchronous Burst SRAM(4M位（256K x 18位）同步靜態(tài)RAM（帶2位脈沖地址計數(shù)器）) |
| 中文描述： | 4Mb的（256 × 18位）同步突發(fā)靜態(tài)存儲器（4分位（256 × 18位）同步靜態(tài)隨機存儲器（帶2位脈沖地址計數(shù)器）） |
| 文件頁數(shù)： | 24/31頁 |
| 文件大小： | 941K |
| 代理商： | GS840E18A |
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Rev: 1.07 12/2000
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com
24/31
1999, Giga Semiconductor, Inc.
Preliminary
GS840E18/32/36AT/B-200/180/166/150/100
CK
ADSP
ADV
GW
BW
G
Q1a
D1a
Q2a
Q2b
Q2c
Q2d
Single Read
Burst Read
tOE
tOHZ
tS tH
tS
tH
tH
tS tH
tS tH
tKH
DQ
A
–DQ
D
BW
A
–BW
D
tKL
tKC
tS
Single Write
ADSP is blocked by E inactive
tKQ
tS tH
Hi-Z
Pipelined SCD Read-Write Cycle Timing
WR1
ADSC
tS tH
ADSC initiated read
RD1
WR1
RD2
tS tH
A0–An
E
1
E
3
E
2
tS
tS tH
tS
E
1
masks ADSP
E
2
and E
3
only sampled with ADSP and ADSC
Deselected with E
3
tH
tH
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