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參數(shù)資料
| 型號： | GS840E18A |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 英文描述： | 4Mb（256K x 18Bit) Synchronous Burst SRAM(4M位（256K x 18位）同步靜態(tài)RAM（帶2位脈沖地址計數(shù)器）) |
| 中文描述： | 4Mb的（256 × 18位）同步突發(fā)靜態(tài)存儲器（4分位（256 × 18位）同步靜態(tài)隨機存儲器（帶2位脈沖地址計數(shù)器）） |
| 文件頁數(shù)： | 9/31頁 |
| 文件大?。?/td> | 941K |
| 代理商： | GS840E18A |
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Rev: 1.07 12/2000
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com
9/31
1999, Giga Semiconductor, Inc.
Preliminary
GS840E18/32/36AT/B-200/180/166/150/100
BGA Pin Description
Pin Location
N4, P4
A2, A3, A5, A6, B3, B5, C2, C3,
C5, C6, R2, R6, T3, T5
T4
T2, T6
T2, T6
K7, K6, L7, L6, M6, N7, N6, P7
H7, H6, G7, G6, F6, E7, E6, D7
H1, H2, G1, G2, F2, E1, E2, D1
K1, K2, L1, L2, M2, N1, N2, P1
Symbol
A
0
, A
1
Type
I
Description
Address field LSBs and Address Counter Preset Inputs
An
I
Address Inputs
An
NC
An
Address Input (x32/36 Versions)
No Connect (x32/36 Versions)
Address Input (x18 Version)
—
I
DQ
A1
–DQ
A8
DQ
B1
–DQ
B8
DQ
C1
–DQ
C8
DQ
D1
–DQ
D8
DQ
A9
, DQ
B9
,
DQ
C9
, DQ
D9
NC
B
A
, B
B
, B
C
, B
D
DQ
A1
-DQ
A9
DQ
B1
-DQ
B9
B
A
, B
B
I/O
Data Input and Output pins (x32/36 Versions)
P6, D6, D2, P2
I/O
Data Input and Output pins (x36 Version)
P6, D6, D2, P2
L5, G5, G3, L3
—
I
No Connect (x32 Version)
Byte Write Enable for DQ
A
, DQ
B
, DQ
C
, DQ
D
I/Os; active low ( x36 Version)
P7, N6, L6, K7, H6, G7, F6, E7, D6
D1, E2, G2, H1, K2, L1, M2, N1, P2
L5, G3
B1, C1, R1, T1, U2, J3, U3, D4, L4,
U4, J5, U5, U6, B7, C7, R7
P6, N7, M6, L7, K6, H7, G6, E6,
D7, D2, B1, E1, F2, G1, H2, K1,
L2, N2, P1, G5, L3, T4
K4
M4
H4
E4, B6
B2
F4
G4
A4, B4
T7
R5
R3
I/O
Data Input and Output pins (x18 Version)
I
Byte Write Enable for DQ
A
, DQ
B
I/Os; active low ( x18 Version)
NC
—
No Connect
NC
—
No Connect (x18 Version)
CK
BW
GW
E
1
, E
3
E
2
G
ADV
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
Clock Input Signal; active high
Byte Write—Writes all enabled bytes; active low
Global Write Enable—Writes all bytes; active low
Chip Enable; active low
Chip Enable; active high
Output Enable; active low
Burst address counter advance enable; active low
Address Strobe (Processor, Cache Controller); active low
Sleep Mode control; active high
Flow Through or Pipeline mode; active low
Linear Burst Order mode; active low
ADSP, ADSC
ZZ
FT
LBO
V
DD
J2, C4, J4, R4, J6
I
Core power supply
D3, E3, F3, H3, K3, M3, N3, P3,
D5, E5, F5, H5, K5, M5, N5, P5
A1, F1, J1, M1, U1, A7, F7, J7, M7,
U7
V
SS
I
I/O and Core Ground
V
DDQ
I
Output driver power supply
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS840E32A | 4Mb（128K x 32Bit) Synchronous Burst SRAM(4M位（128K x 32位）同步靜態(tài)RAM（帶2位脈沖地址計數(shù)器）) |
| GS840E36A | 4Mb（128K x 36Bit) Synchronous Burst SRAM(4M位（128K x 36位）同步靜態(tài)RAM（帶2位脈沖地址計數(shù)器）) |
| GS840E18 | 4Mb（256K x 18Bit) Synchronous Burst SRAM(4M位（256K x 18位）同步靜態(tài)RAM（帶2位脈沖地址計數(shù)器）) |
| GS840E32 | 4Mb（128K x 32Bit) Synchronous Burst SRAM(4M位（128K x 32位）同步靜態(tài)RAM（帶2位脈沖地址計數(shù)器）) |
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相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| GS840E18AB-100I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:256K x 18, 128K x 32, 128K x 36 4Mb Sync Burst SRAMs |
| GS840E18AB-150 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:256K x 18, 128K x 32, 128K x 36 4Mb Sync Burst SRAMs |
| GS840E18AB-150I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:256K x 18, 128K x 32, 128K x 36 4Mb Sync Burst SRAMs |
| GS840E18AB-166 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:256K x 18, 128K x 32, 128K x 36 4Mb Sync Burst SRAMs |
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