- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄383050 > GS840E32A (GSI TECHNOLOGY) 4Mb（128K x 32Bit) Synchronous Burst SRAM(4M位（128K x 32位）同步靜態(tài)RAM（帶2位脈沖地址計(jì)數(shù)器）) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | GS840E32A |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 英文描述： | 4Mb（128K x 32Bit) Synchronous Burst SRAM(4M位（128K x 32位）同步靜態(tài)RAM（帶2位脈沖地址計(jì)數(shù)器）) |
| 中文描述： | 4Mb的（128K的x 32位）同步突發(fā)靜態(tài)存儲(chǔ)器（4分位（128K的× 32位）同步靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（帶2位脈沖地址計(jì)數(shù)器）） |
| 文件頁數(shù)： | 19/31頁 |
| 文件大小： | 941K |
| 代理商： | GS840E32A |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁當(dāng)前第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁
Rev: 1.07 12/2000
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com
19/31
1999, Giga Semiconductor, Inc.
Preliminary
GS840E18/32/36AT/B-200/180/166/150/100
AC Electrical Characteristics
Notes:
1.
2.
These parameters are sampled and are not 100% tested
ZZ is an asynchronous signal. However, In order to be recognized on any given clock cycle, ZZ must meet the specified setup and hold
times as specified above.
Parameter
Symbol
-200
-180
-166
-150
-100
Unit
Min
5.0
—
1.5
Max
—
3.0
—
Min
5.5
—
1.5
Max
—
3.2
—
Min
6.0
—
1.5
Max
—
3.5
—
Min
6.7
—
1.5
Max
—
3.8
—
Min
10
—
1.5
Max
—
4.5
—
Pipeline
Clock Cycle Time
Clock to Output Valid
Clock to Output Invalid
tKC
tKQ
tKQX
ns
ns
ns
Clock to Output in Low-Z
tLZ
1
tKC
tKQ
tKQX
1.5
—
1.5
—
1.5
—
1.5
—
1.5
—
ns
Flow-
Thru
Clock Cycle Time
Clock to Output Valid
Clock to Output Invalid
8.8
—
3.0
—
7.5
—
9.1
—
3.0
—
8.0
—
10.0
—
3.0
—
8.5
—
10.0
—
3.0
—
10.0
—
15.0
—
3.0
—
12.0
—
ns
ns
ns
Clock to Output in Low-Z
tLZ
1
tKH
tKL
3.0
—
3.0
—
3.0
—
3.0
—
3.0
—
ns
Clock HIGH Time
Clock LOW Time
1.3
1.5
—
—
1.3
1.5
—
—
1.3
1.5
—
—
1.3
1.5
—
—
1.3
1.5
—
—
ns
ns
Clock to Output in High-Z
tHZ
1
tOE
1.5
3.0
1.5
3.2
1.5
3.5
1.5
3.8
1.5
5
ns
G to Output Valid
—
3.0
—
3.2
—
3.5
—
3.8
—
5
ns
G to output in Low-Z
tOLZ
1
0
—
0
—
0
—
0
—
0
—
ns
G to output in High-Z
tOHZ
1
tS
tH
—
3.0
—
3.2
—
3.5
—
3.8
—
5
ns
Setup time
Hold time
1.5
0.5
—
—
1.5
0.5
—
—
1.5
0.5
—
—
1.5
0.5
—
—
1.5
0.5
—
—
ns
ns
ZZ setup time
tZZS
2
5
—
5
—
5
—
5
—
5
—
ns
ZZ hold time
tZZH
2
tZZR
1
—
1
—
1
—
1
—
1
—
ns
ZZ recovery
20
—
20
—
20
—
20
—
20
—
ns
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS840E36A | 4Mb（128K x 36Bit) Synchronous Burst SRAM(4M位（128K x 36位）同步靜態(tài)RAM（帶2位脈沖地址計(jì)數(shù)器）) |
| GS840E18 | 4Mb（256K x 18Bit) Synchronous Burst SRAM(4M位（256K x 18位）同步靜態(tài)RAM（帶2位脈沖地址計(jì)數(shù)器）) |
| GS840E32 | 4Mb（128K x 32Bit) Synchronous Burst SRAM(4M位（128K x 32位）同步靜態(tài)RAM（帶2位脈沖地址計(jì)數(shù)器）) |
| GS840E36 | 4Mb（128K x 36Bit) Synchronous Burst SRAM(4M位（128K x 36位）同步靜態(tài)RAM（帶2位脈沖地址計(jì)數(shù)器）) |
| GS840F18A | 4Mb（256K x 18Bit) Synchronous Burst SRAM(4M位（256K x 18位）同步靜態(tài)RAM（帶2位脈沖地址計(jì)數(shù)器）) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS840E32AB-100 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:256K x 18, 128K x 32, 128K x 36 4Mb Sync Burst SRAMs |
| GS840E32AB-100I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:256K x 18, 128K x 32, 128K x 36 4Mb Sync Burst SRAMs |
| GS840E32AB-150 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:256K x 18, 128K x 32, 128K x 36 4Mb Sync Burst SRAMs |
| GS840E32AB-150I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:256K x 18, 128K x 32, 128K x 36 4Mb Sync Burst SRAMs |
| GS840E32AB-166 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:256K x 18, 128K x 32, 128K x 36 4Mb Sync Burst SRAMs |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。