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參數(shù)資料
| 型號： | GS840E32A |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 英文描述： | 4Mb（128K x 32Bit) Synchronous Burst SRAM(4M位（128K x 32位）同步靜態(tài)RAM（帶2位脈沖地址計(jì)數(shù)器）) |
| 中文描述： | 4Mb的（128K的x 32位）同步突發(fā)靜態(tài)存儲器（4分位（128K的× 32位）同步靜態(tài)隨機(jī)存儲器（帶2位脈沖地址計(jì)數(shù)器）） |
| 文件頁數(shù)： | 22/31頁 |
| 文件大?。?/td> | 941K |
| 代理商： | GS840E32A |
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Rev: 1.07 12/2000
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com
22/31
1999, Giga Semiconductor, Inc.
Preliminary
GS840E18/32/36AT/B-200/180/166/150/100
Flow Through Read-Write Cycle Timing
CK
ADSP
ADSC
ADV
GW
BW
G
RD1
WR1
RD2
Q1a
D1a
Q2a
Q2b
Q2c
Q2d
Single Read
Burst Read
tOE
tOHZ
tS tH
tS
tH
tH
tS tH
tS tH
tS tH
tS tH
tKH
ADSC initiated read
DQ
A
–DQ
D
B
A
–B
D
A0–An
tKL
tKC
tS
Single Write
ADSP is blocked by E inactive
tKQ
tS
tH
Hi-Z
Q2a
Burst wrap around to it’s initial state
WR1
E
1
E
3
E
2
tS
tS tH
tS
E
1
masks ADSP
E
2
and E
3
only sampled with ADSP and ADSC
Deselected with E
3
tH
tH
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PDF描述 |
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