參數(shù)資料
型號(hào)： GS840E32A
廠商： GSI TECHNOLOGY
英文描述： 4Mb（128K x 32Bit) Synchronous Burst SRAM(4M位（128K x 32位）同步靜態(tài)RAM（帶2位脈沖地址計(jì)數(shù)器）)
中文描述： 4Mb的（128K的x 32位）同步突發(fā)靜態(tài)存儲(chǔ)器（4分位（128K的× 32位）同步靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（帶2位脈沖地址計(jì)數(shù)器））
文件頁數(shù)： 9/31頁
文件大?。?/td> 941K
代理商： GS840E32A
Rev: 1.07 12/2000
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com
9/31
1999, Giga Semiconductor, Inc.
Preliminary
GS840E18/32/36AT/B-200/180/166/150/100
BGA Pin Description
Pin Location
N4, P4
A2, A3, A5, A6, B3, B5, C2, C3,
C5, C6, R2, R6, T3, T5
T4
T2, T6
T2, T6
K7, K6, L7, L6, M6, N7, N6, P7
H7, H6, G7, G6, F6, E7, E6, D7
H1, H2, G1, G2, F2, E1, E2, D1
K1, K2, L1, L2, M2, N1, N2, P1
Symbol
A
0
, A
1
Type
I
Description
Address field LSBs and Address Counter Preset Inputs
An
I
Address Inputs
An
NC
An
Address Input (x32/36 Versions)
No Connect (x32/36 Versions)
Address Input (x18 Version)
—
I
DQ
A1
–DQ
A8
DQ
B1
–DQ
B8
DQ
C1
–DQ
C8
DQ
D1
–DQ
D8
DQ
A9
, DQ
B9
,
DQ
C9
, DQ
D9
NC
B
A
, B
B
, B
C
, B
D
DQ
A1
-DQ
A9
DQ
B1
-DQ
B9
B
A
, B
B
I/O
Data Input and Output pins (x32/36 Versions)
P6, D6, D2, P2
I/O
Data Input and Output pins (x36 Version)
P6, D6, D2, P2
L5, G5, G3, L3
—
I
No Connect (x32 Version)
Byte Write Enable for DQ
A
, DQ
B
, DQ
C
, DQ
D
I/Os; active low ( x36 Version)
P7, N6, L6, K7, H6, G7, F6, E7, D6
D1, E2, G2, H1, K2, L1, M2, N1, P2
L5, G3
B1, C1, R1, T1, U2, J3, U3, D4, L4,
U4, J5, U5, U6, B7, C7, R7
P6, N7, M6, L7, K6, H7, G6, E6,
D7, D2, B1, E1, F2, G1, H2, K1,
L2, N2, P1, G5, L3, T4
K4
M4
H4
E4, B6
B2
F4
G4
A4, B4
T7
R5
R3
I/O
Data Input and Output pins (x18 Version)
I
Byte Write Enable for DQ
A
, DQ
B
I/Os; active low ( x18 Version)
NC
—
No Connect
NC
—
No Connect (x18 Version)
CK
BW
GW
E
1
, E
3
E
2
G
ADV
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
Clock Input Signal; active high
Byte Write—Writes all enabled bytes; active low
Global Write Enable—Writes all bytes; active low
Chip Enable; active low
Chip Enable; active high
Output Enable; active low
Burst address counter advance enable; active low
Address Strobe (Processor, Cache Controller); active low
Sleep Mode control; active high
Flow Through or Pipeline mode; active low
Linear Burst Order mode; active low
ADSP, ADSC
ZZ
FT
LBO
V
DD
J2, C4, J4, R4, J6
I
Core power supply
D3, E3, F3, H3, K3, M3, N3, P3,
D5, E5, F5, H5, K5, M5, N5, P5
A1, F1, J1, M1, U1, A7, F7, J7, M7,
U7
V
SS
I
I/O and Core Ground
V
DDQ
I
Output driver power supply
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PDF描述
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GS840E36 4Mb（128K x 36Bit) Synchronous Burst SRAM(4M位（128K x 36位）同步靜態(tài)RAM（帶2位脈沖地址計(jì)數(shù)器）)
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