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參數資料
| 型號： | GS840H36 |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 英文描述： | 4Mb（128K x 36Bit) Synchronous Burst SRAM(4M位（128K x 36位）同步靜態(tài)RAM（帶2位脈沖地址計數器）) |
| 中文描述： | 4Mb的（128K的x 36Bit）同步突發(fā)靜態(tài)存儲器（4分位（128K的× 36位）同步靜態(tài)隨機存儲器（帶2位脈沖地址計數器）） |
| 文件頁數： | 16/31頁 |
| 文件大?。?/td> | 626K |
| 代理商： | GS840H36 |
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Rev: 2.04 6/2000
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com
16/31
1999, Giga Semiconductor, Inc.
GS840H18/32/36T/B-180/166/150/100
Capacitance
(T
A
=25
o
C, f=1MH
Z
, V
DD
=3.3V)
Note: This parameter is sample tested.
Package Thermal Characteristics
Notes:
Notes:
1.
Junction temperature is a function of SRAM power dissipation, package thermal resistance, mounting board temperature, ambient. Temper-
ature air flow, board density, and PCB thermal resistance.
SCMI G-38-87.
Average thermal resistance between die and top surface, MIL SPEC-883, Method 1012.1.
4. For x18 configuration, consult factory.
2.
3.
Parameter
Symbol
Test conditions
Typ.
Max.
Unit
Control Input Capacitance
C
I
C
IN
C
OUT
V
DD
=3.3V
V
IN
=0V
V
OUT
=0V
3
4
pF
Input Capacitance
4
5
pF
Output Capacitance
6
7
pF
Rating
Layer Board
Symbol
TQFP Max
BGA Max
Unit
Notes
Junction to Ambient (at 200 lfm)
single
R
Θ
JA
R
Θ
JA
R
Θ
JC
40
38
°
C/W
°
C/W
°
C/W
1,2,4
Junction to Ambient (at 200 lfm)
four
24
21
1,2,4
Junction to Case (TOP)
9
5
3,4
20% tKC
V
SS
-2.0V
50%
V
SS
V
IH
Undershoot Measurement and Timing
Overshoot Measurement and Timing
20% tKC
V
DD
+-2.0V
50%
V
DD
V
IL
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS8644Z18E-133I | CONN 2MM SKT 22POS THRU-BRD SMD |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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| GS840H36AB-150I | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 3.3V 4MBIT 128KX36 10NS/3.8NS 119FBGA - Trays |
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