- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄384353 > GS8644V18B (GSI TECHNOLOGY) 4M x 18, 2M x 36, 1M x 72 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | GS8644V18B |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 英文描述： | 4M x 18, 2M x 36, 1M x 72 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| 中文描述： | 4米× 18，200萬× 36，100萬× 72 72Mb的S /雙氰胺同步突發(fā)靜態(tài)存儲器 |
| 文件頁數(shù)： | 32/40頁 |
| 文件大?。?/td> | 843K |
| 代理商： | GS8644V18B |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁當(dāng)前第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁
Product Preview
GS8644V18(B/E)/GS8644V36(B/E)/GS8644V72(C)
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.03 11/2004
32/40
2003, GSI Technology
JTAG Port Timing Diagram
JTAG Port Recommended Operating Conditions and DC Characteristics
Parameter
Symbol
V
IHJ
V
ILJ
I
INHJ
I
INLJ
I
OLJ
V
OHJ
V
OLJ
V
OHJC
V
OLJC
Min.
0.6 * V
DD
Max.
V
DD
+0.3
0.3 * V
DD
Unit Notes
1.8 V Test Port Input High Voltage
V
1
1.8 V Test Port Input Low Voltage
–
0.3
V
1
TMS, TCK and TDI Input Leakage Current
–
300
1
uA
2
TMS, TCK and TDI Input Leakage Current
–
1
100
uA
3
TDO Output Leakage Current
–
1
1
uA
4
Test Port Output High Voltage
1.7
—
V
5, 6
Test Port Output Low Voltage
—
0.4
V
5, 7
Test Port Output CMOS High
V
DDQ
– 100 mV
—
V
5, 8
Test Port Output CMOS Low
—
100 mV
V
5, 9
Notes:
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
9.
Input Under/overshoot voltage must be
–
2 V > Vi < V
DDn
+2 V not to exceed 3.6 V maximum, with a pulse width not to exceed 20% tTKC.
V
ILJ
≤
V
IN
≤
V
DDn
0 V
≤
V
IN
≤
V
ILJn
Output Disable, V
OUT
= 0 to V
DDn
The TDO output driver is served by the V
DDQ
supply.
I
OHJ
=
–
4 mA
I
OLJ
= + 4 mA
I
OHJC
= –100 uA
I
OHJC
= +100 uA
tTH
tTS
tTKQ
tTH
tTS
tTH
tTS
tTKL
tTKH
tTKC
TCK
TDI
TMS
TDO
Parallel SRAM input
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS8644V18B-133 | 4M x 18, 2M x 36, 1M x 72 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS8644V18B-133I | 4M x 18, 2M x 36, 1M x 72 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS8644V18B-150 | 4M x 18, 2M x 36, 1M x 72 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS8644V18B-150I | 4M x 18, 2M x 36, 1M x 72 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS8644V18B-166 | 4M x 18, 2M x 36, 1M x 72 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS8644V18B-133 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 1.8V 72MBIT 4MX18 8.5NS/3.5NS 119FBGA - Trays |
| GS8644V18B-133I | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 1.8V 72MBIT 4MX18 8.5NS/3.5NS 119FBGA - Trays |
| GS8644V18B-150 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 1.8V 72MBIT 4MX18 7.5NS/3.3NS 119FBGA - Trays |
| GS8644V18B-150I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:4M x 18, 2M x 36, 1M x 72 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS8644V18B-166 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:4M x 18, 2M x 36, 1M x 72 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。