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參數(shù)資料
| 型號： | GS8644V18GE-150 |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | 4M X 18 CACHE SRAM, 7.5 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 10/40頁 |
| 文件大小： | 1195K |
| 代理商： | GS8644V18GE-150 |
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Product Preview
GS8644V18(B/E)/GS8644V36(B/E)/GS8644V72(C)
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.03 11/2004
18/40
2003, GSI Technology
Note:
These parameters are sample tested.
VDDQ Range Logic Levels
Parameter
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Notes
VDD Input High Voltage
VIH
0.6*VDD
—
VDD + 0.3
V1
VDD Input Low Voltage
VIL
–0.3
—
0.3*VDD
V1
VDDQ I/O Input High Voltage
VIHQ
0.6*VDD
—
VDDQ + 0.3
V1,3
VDDQ I/O Input Low Voltage
VILQ
–0.3
—
0.3*VDD
V1,3
Notes:
1. The part numbers of Industrial Temperature Range versions end the character “I”. Unless otherwise noted, all performance specifica-
tions quoted are evaluated for worst case in the temperature range marked on the device.
2. Input Under/overshoot voltage must be –2 V > Vi < VDDn+2 V not to exceed 3.6 V maximum, with a pulse width not to exceed 20% tKC.
3. VIHQ (max) is voltage on VDDQ pins plus 0.3 V.
Capacitance
(TA = 25oC, f = 1 MHZ, VDD = 2.5 V)
Parameter
Symbol
Test conditions
Typ.
Max.
Unit
Input Capacitance
CIN
VIN = 0 V
810
pF
Input/Output Capacitance
CI/O
VOUT = 0 V
12
14
pF
20% tKC
VSS – 2.0 V
50%
VSS
VIH
Undershoot Measurement and Timing
Overshoot Measurement and Timing
20% tKC
VDD + 2.0 V
50%
VDD
VIL
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