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參數(shù)資料
| 型號： | GS8644V18GE-150 |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | 4M X 18 CACHE SRAM, 7.5 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 13/40頁 |
| 文件大?。?/td> | 1195K |
| 代理商： | GS8644V18GE-150 |
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Product Preview
GS8644V18(B/E)/GS8644V36(B/E)/GS8644V72(C)
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.03 11/2004
20/40
2003, GSI Technology
Notes:
1.
I DD
a
nd
I DDQ
apply
to
an
ycombination
of
V
DD3
,V
DD2
,V
DD
Q
3,
and
V
DDQ2
operation.
2.
All
p
arameters
listed
are
worst
case
scenario.
Operating
Currents
Par
ameter
Test
Co
nd
itio
ns
Mo
de
Sym
bo
l
-250
-225
-200
-166
-150
-133
Un
it
0
to
70°C
–
40
to
85°C
0
to
70°C
–40
to
85°C
0
to
70°C
–
40
to
85°C
0
to
70
°C
–40
to
85°C
0
to
70°C
–
40
to
85°C
0
to
70°C
–40
to
85°C
Operating
Current
Devi
ce
Selec
ted;
All
other
input
s
≥V
IH
o
r≤
V
IL
Output
open
(x72)
Pipeline
I DD I DDQ
48
0
60
515
60
445
60
480
60
410
50
445
50
365
40
400
40
345
40
38
0
40
315
30
350
30
mA
Flow
Through
I DD I DDQ
31
5
30
340
30
315
30
340
30
315
30
340
30
305
30
330
30
285
30
31
0
30
280
20
305
20
mA
(x36)
Pipeline
I DD I DDQ
40
0
50
435
50
370
45
405
45
345
40
380
40
310
35
345
35
295
30
33
0
30
270
25
305
25
mA
Flow
Through
I DD I DDQ
27
0
20
295
20
270
20
295
20
270
20
295
20
260
20
285
20
245
20
27
0
20
230
15
255
15
mA
(x18)
Pipeline
I DD I DDQ
36
0
25
395
25
335
25
370
25
315
20
350
20
285
20
320
20
275
20
31
0
20
250
15
285
15
mA
Flow
Through
I DD I DDQ
25
0
15
275
15
250
15
275
15
250
15
275
15
240
15
260
15
225
15
25
0
15
210
15
235
15
mA
Standby
Current
ZZ
≥
V
DD
–
0.2
V
—
Pipeline
I SB
12
0
160
120
160
120
160
120
160
120
16
0
120
160
mA
Flow
Through
I SB
12
0
160
120
160
120
160
120
160
120
16
0
120
160
mA
Des
elect
Current
Dev
ice
D
eselec
ted;
All
other
input
s
≥
V
IH
or
≤V
IL
—
Pipeline
I DD
20
0
230
190
220
180
210
170
200
170
20
0
160
190
mA
Flow
Through
I DD
17
0
200
170
200
160
190
160
190
150
18
0
140
170
mA
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS8662S36BD-300I | 2M X 36 STANDARD SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| GS8662S36BGD-300 | 2M X 36 STANDARD SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| GS88036T-100T | 256K X 36 CACHE SRAM, 12 ns, PQFP100 |
| GS88037CT-250I | 256K X 36 CACHE SRAM, 2.3 ns, PQFP100 |
| GS880E18GT-66I | 512K X 18 CACHE SRAM, 18 ns, PQFP100 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS8644V36B-133 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:4M x 18, 2M x 36, 1M x 72 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS8644V36B-133I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:4M x 18, 2M x 36, 1M x 72 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS8644V36B-150 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:4M x 18, 2M x 36, 1M x 72 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS8644V36B-150I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:4M x 18, 2M x 36, 1M x 72 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS8644V36B-166 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:4M x 18, 2M x 36, 1M x 72 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
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