參數(shù)資料
型號(hào)： GS880Z18CT-250IVT
廠商： GSI TECHNOLOGY
元件分類(lèi)： SRAM
英文描述： 512K X 18 ZBT SRAM, QFP100
封裝： TQFP-100
文件頁(yè)數(shù)： 8/24頁(yè)
文件大小： 804K
代理商： GS880Z18CT-250IVT
AC Test Conditions
Parameter
Conditions
DQ
VDDQ/2
50
Ω
30pF*
Output Load 1
* Distributed Test Jig Capacitance
Figure 1
Input high level
VDD – 0.2 V
Input low level
0.2 V
Input slew rate
1 V/ns
Input reference level
VDD/2
Output reference level
VDDQ/2
Output load
Fig. 1
Notes:
1. Include scope and jig capacitance.
2. Test conditions as specified with output loading as shown in Fig. 1
unless otherwise noted.
3. Device is deselected as defined by the Truth Table.
GS880Z18/32/36CT-xxxV
Rev: 1.02a 12/2010
16/24
2010, GSI Technology
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
DC Electrical Characteristics
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min
Max
Input Leakage Current
(except mode pins)
IIL
VIN = 0 to VDD
–1 uA
1 uA
FT Input Current
IIN
VDD ≥ VIN ≥ 0 V
–100 uA
100 uA
Output Leakage Current
IOL
Output Disable, VOUT = 0 to VDD
–1 uA
1 uA
1.8 V Output High Voltage
VOH1
IOH = –4 mA, VDDQ = 1.7 V
VDDQ – 0.4 V
—
2.5 V Output High Voltage
VOH2
IOH = –8 mA, VDDQ = 2.375 V
1.7 V
—
1.8 V Output Low Voltage
VOL1
IOL = 4 mA
—
0.4 V
2.5 V Output Low Voltage
VOL2
IOL = 8 mA
—
0.4 V
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