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參數(shù)資料
| 型號： | H5N2004DS |
| 英文描述： | Datasheet|ADE-208-1372|MAR.20.01|58K |
| 中文描述： | 技術(shù)資料|腺- 208 - 1372 | MAR.20.01 | 5.8萬 |
| 文件頁數(shù)： | 6/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 57K |
| 代理商： | H5N2004DS |
H5N2004DL, H5N2004DS
6
0.1
0.2
Reverse Drain Current I
DR
(A)
0.5
1
2
5
10
1000
200
500
100
20
50
10
0
20
40
60
80
100
2000
5000
1000
100
200
500
500
400
300
200
100
0
20
16
12
8
4
4
Gate Charge Qg (nC)
8
12
16
20
0
1000
100
1
0.1
10
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
10
5
V = 50 V
100 V
160 V
V = 0
f = 1 MHz
Ciss
Coss
Crss
I = 4 A
V
DS
V
GS
V = 160 V
100 V
50 V
di / dt = 100 A /
μ
s
V = 0, Ta = 25
°
C
r
d(on)
t
d(off)
t
tf
V = 10 V, V = 100 V
PW = 10
μ
s, duty < 1 %
R =10W
R
Body-Drain Diode Reverse
Recovery Time
Typical Capacitance vs.
Drain to Source Voltage
C
Drain to Source Voltage V
DS
(V)
S
Drain Current I
D
(A)
Switching Characteristics
D
D
Dynamic Input Characteristics
G
G
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| H5N2005DS | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
| H5N2005DSTL-E | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
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