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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HAF1009L |
| 廠商： | Renesas Technology Corp. |
| 英文描述： | Silicon P Channel MOS FET Series Power Switching |
| 中文描述： | 硅P通道MOS FET的電源開(kāi)關(guān)系列 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 7/10頁(yè) |
| 文件大小： | 110K |
| 代理商： | HAF1009L |
HAF1009(L), HAF1009(S)
Rev.1.00, May.13.2003, page 7 of 10
-2
-4
-12
-10
-8
-6
0
0.0001
G
G
Gate to Source Voltage vs.
Shutdown Time of Load-Short Test
0.1
Shutdown Time of Load-Short Test
Pw (S)
0.001
0.01
-24V
V
DD
= -16 V
200
180
160
140
120
-0
Gate to Source Voltage V
GS
(V)
S
°
C
100
-2
-4
-6
-8
-10
I
D
= -5 A
Shutdown Case Temperature vs.
Gate to Source Voltage
3
1
0.3
0.1
0.03
0.01
10
μ
100
μ
1 m
10 m
100 m
1
10
DM
P
PW
T
D =T
ch - c
ch - c = 2.5
°
C/W, Tc = 25
°
C
θ γ
θ
Tc = 25
°
C
D = 1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
Pulse Width PW (S)
N
γ
s
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HAF1009S | Silicon P Channel MOS FET Series Power Switching |
| HAF2012L | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-262VAR |
| HAF2012S | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-263AB |
| HAF2014 | |
| HAF2015RJ | |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HAF1009S | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| HAF1010RJ | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| HA-F10C | 制造商:JVC Worldwide 功能描述:HEADPHONE |
| HAF10L | 功能描述:散熱片 Heatsk 116.8x25.4x61 For PFE Series RoHS:否 制造商:Ampro By ADLINK 產(chǎn)品:Heat Sink Accessories 安裝風(fēng)格:Through Hole 散熱片材料: 散熱片樣式: 熱阻: 長(zhǎng)度: 寬度: 高度: 設(shè)計(jì)目的:Express-HRR |
| HAF-10L | 制造商:TDK 功能描述:Heat sink,2.2deg.C/W,116.8x25.4x61mm |
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