參數(shù)資料
型號： HAT1047RJ
廠商： Renesas Technology Corp.
英文描述： Silicon P Channel Power MOS FET High Speed Power Switching
中文描述： 硅P通道功率MOS FET的高速電源開關(guān)
文件頁數(shù)： 2/10頁
文件大小： 112K
代理商： HAT1047RJ
HAT1047R, HAT1047RJ
Rev.5.00, Aug.27.2003, page 2 of 9
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Drain to source voltage
V
DSS
–30
V
Gate to source voltage
V
GSS
±20
V
Drain current
I
D
–14
A
Drain peak current
I
D(pulse)
Note1
–112
A
Body-drain diode reverse drain current
I
DR
–14
A
Avalanche current
HAT1047R
I
AP
Note3
—
—
HAT1047RJ
–14
A
Avalanche energy
HAT1047R
E
AR
Note3
—
—
HAT1047RJ
19.6
mJ
Channel dissipation
Pch
Note2
2.5
W
Channel temperature
Tch
150
°C
Storage temperature
Notes: 1. PW
≤
10
μ
s, duty cycle
≤
1 %
2. When using the glass epoxy board (FR4 40 x 40 x 1.6 mm), PW
≤
10s
3. Value at Tch = 25°C, Rg
≥
50
Tstg
–55 to +150
°C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HAT1055R Silicon P Channel Power MOS FET High Speed Power Switching
HAT1055RJ Silicon P Channel Power MOS FET High Speed Power Switching
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參數(shù)描述
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