參數(shù)資料
型號(hào)： HAT1047RJ
廠商： Renesas Technology Corp.
英文描述： Silicon P Channel Power MOS FET High Speed Power Switching
中文描述： 硅P通道功率MOS FET的高速電源開關(guān)
文件頁數(shù)： 3/10頁
文件大?。?/td> 112K
代理商： HAT1047RJ
HAT1047R, HAT1047RJ
Rev.5.00, Aug.27.2003, page 3 of 9
Electrical Characteristics
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test Conditions
Drain to source breakdown voltage V
(BR)DSS
–30
—
—
V
I
D
= –10 mA, V
GS
= 0
I
G
= ±100
μ
A, V
DS
= 0
V
GS
= ± 16V, V
DS
= 0
Gate to source breakdown voltage V
(BR)GSS
±20
—
—
mV
μ
A
μ
A
μ
A
μ
A
V
m
m
S
Gate to source leak current
I
GSS
—
—
±10
Zero gate voltage drain current
I
DSS
—
—
±1
V
DS
= –30 V, V
GS
= 0
Zero gate voltage
HAT1047R
I
DSS
—
—
—
V
DS
= –24 V, V
GS
= 0
drain current
HAT1047RJ
I
DSS
—
—
–20
Ta = 125°C
Gate to source cutoff voltage
V
GS(off)
–1.0
—
–2.5
V
DS
= –10 V,
I
D
= –1 mA
I
D
= –7 A, V
GS
= –10 V
Note4
I
D
= –7 A, V
GS
= –4.5 V
Note4
I
D
= –7 A, V
DS
= –10 V
Note4
Static drain to source on state
R
DS(on)
—
10
12
resistance
R
DS(on)
—
19
25
Forward transfer admittance
|y
fs
|
9.6
16
—
Input capacitance
Ciss
—
3500
—
pF
V
DS
= –10 V
Output capacitance
Coss
—
750
—
pF
V
GS
= 0
Reverse transfer capacitance
Crss
—
520
—
pF
f = 1 MHz
Total gate charge
Qg
—
64
—
nc
V
DD
= –10 V
Gate to source charge
Qgs
—
10
—
nc
V
GS
= –10 V
Gate to drain charge
Qgd
—
12
—
nc
I
D
= –14 A
Turn-on delay time
t
d(on)
—
23
—
ns
V
GS
= –10 V, I
D
= –7A
V
DD
–10 V
R
L
= 1.43
R
L
= 4.7
IF = –14 A, V
GS
= 0
Note4
Rise time
t
r
—
45
—
ns
Turn-off delay time
t
d(off)
—
80
—
ns
Fall time
t
f
—
25
—
ns
Body–drain diode forward voltage
V
DF
—
–0.82
–1.07
V
Body–drain diode reverse
recovery time
Notes: 4. Pulse test
t
rr
—
45
—
ns
IF = –14 A, V
GS
= 0
diF/ dt = 100 A/
μ
s
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PDF描述
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