型號: | HAT2171H-EL-E |
廠商: | Renesas Technology Corp. |
英文描述: | Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
中文描述: | 硅?通道功率MOS場效應管電源開關(guān) |
文件頁數(shù): | 7/8頁 |
文件大?。?/td> | 94K |
代理商: | HAT2171H-EL-E |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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HAT2172H | Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
HAT2173H | Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
HAT2173H-EL-E | Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
HAT2179R | Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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HAT2172H | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Trans MOSFET N-CH 40V 30A 5-Pin(4+Tab) LFPAK |
HAT2172H_05 | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
HAT2172H-EL-E | 功能描述:MOSFET N-CH 40V 30A LFPAK RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
HAT2172HWS-E | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Tray 制造商:Renesas 功能描述:0 |
HAT2172N | 功能描述:MOSFET N-CH 40V 30A LFPAK-I RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |