參數(shù)資料
型號： HAT2171H
廠商： Renesas Technology Corp.
英文描述： Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
中文描述： 硅?通道功率MOS場效應管電源開關(guān)
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大?。?/td> 94K
代理商： HAT2171H
HAT2171H
Rev.4.00 Sep 20, 2005 page 2 of 7
Electrical Characteristics
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
V
(BR)DSS
V
(BR)GSS
I
GSS
I
DSS
V
GS(off)
R
DS(on)
R
DS(on)
|y
fs
|
Ciss
Coss
Crss
Rg
Qg
Qgs
Qgd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
V
DF
t
rr
Min
40
±20
—
—
1.5
—
—
30
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
Typ
—
—
—
—
—
3.8
4.4
50
3750
760
230
0.5
52
15
6
14
30
41
5.5
0.82
38
Max
—
—
± 10
1
3.0
4.8
6.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
1.07
—
Unit
V
V
μ
A
μ
A
V
m
m
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
V
ns
Test Conditions
I
D
= 10 mA, V
GS
= 0
I
G
= ±100
μ
A, V
DS
= 0
V
GS
= ±16 V, V
DS
= 0
V
DS
= 40 V, V
GS
= 0
V
DS
= 10 V, I
D
= 1 mA
I
D
= 20 A, V
GS
= 10 V
Note4
I
D
= 20 A, V
GS
= 7 V
Note4
I
D
= 20 A, V
DS
= 10 V
Note4
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0,
f = 1 MHz
Drain to source breakdown voltage
Gate to source breakdown voltage
Gate to source leak current
Zero gate voltage drain current
Gate to source cutoff voltage
Static drain to source on state
resistance
Forward transfer admittance
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer capacitance
Gate Resistance
Total gate charge
Gate to source charge
Gate to drain charge
Turn-on delay time
Rise time
Turn-off delay time
Fall time
Body–drain diode forward voltage
Body–drain diode reverse recovery
time
Notes: 4. Pulse test
V
DD
= 10 V, V
GS
= 10 V,
I
D
= 40 A
V
GS
= 10 V, I
D
= 20 A,
V
DD
10 V, R
L
= 0.5
,
Rg = 4.7
IF = 40 A, V
GS
= 0
Note4
IF = 40 A, V
GS
= 0
di
F
/ dt = 100 A/
μ
s
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HAT2171H-EL-E Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
HAT2172H Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
HAT2173H Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
HAT2173H-EL-E Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
HAT2179R Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
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參數(shù)描述
HAT2171H-EL-E 功能描述:MOSFET N-CH 40V 40A 5LFPAK RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
HAT2172H 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Trans MOSFET N-CH 40V 30A 5-Pin(4+Tab) LFPAK
HAT2172H_05 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
HAT2172H-EL-E 功能描述:MOSFET N-CH 40V 30A LFPAK RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
HAT2172HWS-E 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Tray 制造商:Renesas 功能描述:0
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