參數(shù)資料
型號(hào)： HAT2171H
廠商： Renesas Technology Corp.
英文描述： Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
中文描述： 硅?通道功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管電源開(kāi)關(guān)
文件頁(yè)數(shù)： 3/8頁(yè)
文件大小： 94K
代理商： HAT2171H
HAT2171H
Rev.4.00 Sep 20, 2005 page 3 of 7
Main Characteristics
Drain to Source Voltage V
DS
(V)
D
D
Typical Output Characteristics
Gate to Source Voltage V
GS
(V)
D
D
Typical Transfer Characteristics
Drain to Source Voltage V
DS
(V)
D
D
Maximum Safe Operation Area
C
Case Temperature Tc (
°
C)
Power vs. Temperature Derating
Gate to Source Voltage V
GS
(V)
D
D
Drain to Source Saturation Voltage vs.
Gate to Source Voltage
Drain Current I
D
(A)
D
D
)
Static Drain to Source on State Resistance
vs. Drain Current
50
40
30
20
10
0
2
4
6
8
10
50
40
30
20
10
0
2
4
6
8
10
Tc = 75
°
C
25
°
C
–25
°
C
V
DS
= 10 V
Pulse Test
V
GS
= 3 V
10 V
4 V
3.2 V
3.4 V
3.6 V
3.8 V
Pulse Test
100
10
1
0.1
0.01
0.1
0.3
1
3
10
30
100
500
Ta = 25
°
C
1 shot Pulse
10
μ
s
100
μ
s
Operation in
this area is
limited by R
DS(on)
40
30
20
10
0
50
100
150
200
DC Operaton Tc = 25
°
C
250
200
150
100
50
0
4
8
12
16
20
Pulse Test
I
D
= 20 A
5 A
10 A
100
10
1
3
30
0.1
0.3
30
300
1
10
100
1000
3
V
GS
= 7 V
10 V
Pulse Test
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HAT2171H-EL-E Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
HAT2172H Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
HAT2173H Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
HAT2173H-EL-E Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
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參數(shù)描述
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HAT2172HWS-E 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Tray 制造商:Renesas 功能描述:0
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