參數(shù)資料
型號(hào): HAT2244WP-EL-E
廠商: Renesas Technology Corp.
英文描述: Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
中文描述: 硅?通道功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管電源開關(guān)
文件頁數(shù): 4/8頁
文件大?。?/td> 117K
代理商: HAT2244WP-EL-E
HAT2244WP
REJ03G1549-0400 Rev.4.00 Jun 13, 2007
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Case Temperature Tc (°C)
S
D
)
Static Drain to Source on State Resistance
vs. Temperature
50
40
30
20
10
–25
0
50
25
100
75
125 150
0
1 A, 2 A, 5 A
I
D
= 1 A, 2 A, 5 A
V
GS
= 4.5 V
10 V
Pulse Test
F
Drain Current I
D
(A)
Forward Transfer Admittance vs.
Drain Current
3
30
0.1
1
10
100
0.3
100
1000
10
1
Tc = –25°C
V
DS
= 10 V
Pulse Test
75°C
25°C
Reverse Drain Current I
DR
(A)
R
Body–Drain Diode Reverse
Recovery Time
1
10
100
100
20
50
10
0.1
di/dt = 100 A/
μ
s
V
GS
= 0, Ta = 25°C
C
Drain to Source Voltage V
DS
(V)
Typical Capacitance vs.
Drain to Source Voltage
0
10
20
30
50
40
10000
3000
1000
300
100
30
10
Ciss
Coss
Crss
V
GS
= 0
f = 1 MHz
Gate Charge Qg (nc)
D
D
G
G
Dynamic Input Characteristics
100
80
60
40
20
0
20
16
12
8
4
20
40
60
80
100
0
I
D
= 30 A
V
GS
V
DS
V
DS
= 50 V
25 V
10 V
V
DS
= 50 V
25 V
10 V
Drain Current I
D
(A)
S
Switching Characteristics
100
10
1
1
10
100
0.1
1000
V
GS
= 10 V, V
DS
= 30 V
Rg = 4.7
, duty
1 %
td(on)
td(off)
tr
tf
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PDF描述
HAT2244WP Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
HAT2299WP Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
HAT3001F
HAT3004R
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參數(shù)描述
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