參數(shù)資料
型號: HAT2244WP-EL-E
廠商: Renesas Technology Corp.
英文描述: Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
中文描述: 硅?通道功率MOS場效應(yīng)管電源開關(guān)
文件頁數(shù): 7/8頁
文件大?。?/td> 117K
代理商: HAT2244WP-EL-E
HAT2244WP
REJ03G1549-0400 Rev.4.00 Jun 13, 2007
Page 7 of 7
Package Dimensions
4.21Typ
5
0.2Typ
0.8Max
6
1.27Typ
0
0.04Min
+
-
+
-
1.27Typ
0
0
0.635Max
S
5.1 ± 0.2
4.9 ± 0.1
0
3
0
0.4 ± 0.06
3.9 ± 0.2
PWSN0008DA-A
WPAKV
0.075g
MASS[Typ.]
RENESAS Code
JEITA Package Code
Previous Code
(Ni/Pd/Au plating)
Notice:The reverse pattern of die-pad
support lead described above exists.
Unit: mm
Package Name
WPAK
Ordering Information
Part No.
Quantity
Shipping Container
HAT2244WP-EL-E
2500pcs
Taping
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HAT2244WP Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
HAT2299WP Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
HAT3001F
HAT3004R
HAT3006R TRANSISTOR | MOSFET | PAIR | COMPLEMENTARY | 30V V(BR)DSS | 6.5A I(D) | SO
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HAT2261H-EL-E 功能描述:MOSFET N-CH 30V 45A LFPAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
HAT2265H 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
HAT2265H-EL-E 功能描述:MOSFET N-CH 30V 55A 5LFPAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
HAT2266H 功能描述:MOSFET N-CH 60V 30A 5LFPAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
HAT2266H-EL-E 功能描述:MOSFET N-CH 60V 30A LFPAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件