參數(shù)資料
型號： HD6433436TF16
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： 12 V must not be applied to the S-mask model (single-power-supply specification), as this may permanently damage the device.
中文描述： 12伏不能適用的S -面具模型（單電源規(guī)范），因?yàn)檫@可能會永久損壞設(shè)備。
文件頁數(shù)： 442/752頁
文件大?。?/td> 2656K
代理商： HD6433436TF16
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413
Hardware Protection:
Suspends or disables the programming and erasing of flash memory, and
resets the flash memory control register (FLMCR) and erase block registers (EBR1 and EBR2).
Details of hardware protection are as follows.
Function
Protection
Description
Program
Erase
Verify
*
1
Programing
voltage (V
PP
)
protect
When 12 V is not applied to the FV
pin,
FLMCR, EBR1, and EBR2 are initialized,
disabling programming and erasing. To obtain
this protection, V
PP
should not exceed V
CC
.
*
3
When a reset occurs (including a watchdog
timer reset) or standby mode is entered,
FLMCR, EBR1, and EBR2 are initialized,
disabling programming and erasing. Note that
RES
input does not ensure a reset unless the
RES
pin is held low for at least 20 ms at power-
up (to enable the oscillator to settle), or at least
ten system clock cycles (10) during operation.
Disabled
Disabled
*
2
Disabled
Reset and
standby
protect
Disabled
Disabled
*
2
Disabled
Interrupt
protect
To prevent damage to the flash memory, if
interrupt input occurs while flash memory is
being programmed or erased, programming or
erasing is aborted immediately. The settings in
FLMCR, EBR1, and EBR2 are retained. This
type of protection can be cleared only by a
reset.
Notes:
*
1 Three modes: program-verify, erase-verify, and prewrite-verify.
*
2 All blocks are erase-disabled. It is not possible to specify individual blocks.
*
3 For details, see section 19.7, Flash Memory Programming and Erasing Precautions.
Disabled
Disabled
*
2
Enabled
19.4.9
Interrupt Handling during Flash Memory Programming and Erasing
If an interrupt occurs
*1
while flash memory is being programmed or erased (while the P or E bit of
FLMCR is set), the following operating states can occur.
If an interrupt is generated during programming or erasing, programming or erasing is aborted
to protect the flash memory. Since memory cell values after a forced interrupt are
indeterminate, the system will not operate correctly after such an interrupt.
Program runaway may result because the vector table could not be read correctly in interrupt
exception handling during programming or erasure
*2
.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HD64F3437FLH16 12 V must not be applied to the S-mask model (single-power-supply specification), as this may permanently damage the device.
HD6433801FP Single-Chip Microcomputer
HD6473802 Single-Chip Microcomputer
HD6473802FP Single-Chip Microcomputer
HD6473802H Single-Chip Microcomputer
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HD6433436VF10 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:16-Bit Microcontroller
HD6433436VTF10 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:16-Bit Microcontroller
HD6433436W 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Single-Chip Microcomputer
HD6433436WF 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Single-Chip Microcomputer
HD6433436WF12 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:16-Bit Microcontroller
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