參數(shù)資料
型號： HD6433436TF16
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： 12 V must not be applied to the S-mask model (single-power-supply specification), as this may permanently damage the device.
中文描述： 12伏不能適用的S -面具模型（單電源規(guī)范），因為這可能會永久損壞設(shè)備。
文件頁數(shù)： 484/752頁
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代理商： HD6433436TF16
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455
User Programming Mode Execution Procedure (Example)*:
Figure 20.7 shows the execution
procedure for user programming mode when the on-board update routine is executed in RAM.
Note: * Do not apply 12 V to the FV
PP
pin during normal operation. To prevent flash memory
from being accidentally programmed or erased due to program runaway etc., apply 12 V
to FV
PP
only when programming or erasing flash memory. Overprogramming or
overerasing due to program runaway can cause memory cells to malfunction. While 12 V
is applied, the watchdog timer should be running and enabled to halt runaway program
execution, so that program runaway will not lead to overprogramming or overerasing. For
details on applying, releasing, and shutting off V
PP
, see section 20.7, Flash Memory
Programming and Erasing Precautions (5).
Set MD
1
and MD
0
to 10 or 11
(apply V
IH
to V
CC
to MD
1
)
Start from reset
Branch to flash memory on-board
update routine in RAM
FV
PP
= 12 V
(user programming mode)
Execute flash memory
on-board update routine in RAM
(update flash memory)
1
2
3
4
5
Branch to flash memory
on-board update program
Transfer on-board update routine
into RAM
6
7
8
Release FV
PP
(exit user programming mode)
Branch to application program
in flash memory
*
Procedure
The flash memory on-board update
program is written in flash memory ahead
of time by the user.
1.
Set MD1 and MD0 of the H8/3437F to
10 or 11, and start from a reset.
2.
Branch to the flash memory on-board
update program in flash memory.
3.
Transfer the on-board update routine
into RAM.
4.
Branch to the on-board update routine
that was transferred into RAM.
5.
Apply 12 V to the FV
PP
pin, to enter
user programming mode.
6.
Execute the flash memory on-board
update routine in RAM, to perform an
on-board update of the flash memory.
7.
Change the voltage at the FV
PP
pin
from 12 V to V
CC
, to exit user
programming mode.
8.
After the on-board update of flash
memory ends, execution branches to
an application program in flash
memory.
Note:
*
After the update is finished, when input of 12 V to the FV
PP
pin is released, the flash
memory read setup time (t
FRS
) must elapse before any program in flash memory is
executed. This is the required setup time from when the FV
PP
pin reaches the (V
CC
+
2 V) level after 12 V is released until flash memory can be read.
Figure 20.7 User Programming Mode Operation (Example)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HD64F3437FLH16 12 V must not be applied to the S-mask model (single-power-supply specification), as this may permanently damage the device.
HD6433801FP Single-Chip Microcomputer
HD6473802 Single-Chip Microcomputer
HD6473802FP Single-Chip Microcomputer
HD6473802H Single-Chip Microcomputer
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HD6433436VF10 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:16-Bit Microcontroller
HD6433436VTF10 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:16-Bit Microcontroller
HD6433436W 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Single-Chip Microcomputer
HD6433436WF 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Single-Chip Microcomputer
HD6433436WF12 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:16-Bit Microcontroller
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