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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HM5113805F |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | 128 M EDO（Extended Data Output） DRAM(128M 擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出模式動(dòng)態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 128米江戶（擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出）內(nèi)存（128M的擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出模式動(dòng)態(tài)內(nèi)存） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 10/34頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 466K |
| 代理商： | HM5113805F |
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HM5112805F-6, HM5113805F-6
10
Capacitance
(Ta = 25C, V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V)
Parameter
Symbol
Typ
Max
Unit
Notes
Input capacitance (Address)
C
I1
C
I2
C
I/O
—
7
pF
1
Input capacitance (Clocks)
—
7
pF
1
Output capacitance (Data-in, Data-out)
Notes : 1. Capacitance measured with Boonton Meter or effective capacitance measuring method.
2.
RAS
and
CAS
= V
IH
to disable Dout.
—
8
pF
1, 2
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HM5113165F | 128M EDO DRAM(128M 擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出模式動(dòng)態(tài)RAM) |
| HM5116100 | 16M FP DRAM (16-Mword x 1-bit) 4k Refresh |
| HM5116100S | 16M FP DRAM (16-Mword x 1-bit) 4k Refresh |
| HM5116100S-6 | 16M FP DRAM (16-Mword x 1-bit) 4k Refresh |
| HM5116100S-7 | 16M FP DRAM (16-Mword x 1-bit) 4k Refresh |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HM5113805F-6 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:128M EDO DRAM (16-Mword x 8-bit) 8k refresh/4k refresh |
| HM5113805FLTD-6 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:128M EDO DRAM (16-Mword x 8-bit) 8k refresh/4k refresh |
| HM5113805FTD-5 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:DRAM|EDO|16MX8|CMOS|TSOP|32PIN|PLASTIC |
| HM5113805FTD-6 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:128M EDO DRAM (16-Mword x 8-bit) 8k refresh/4k refresh |
| HM5113805LTD-6 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 EDO Page Mode DRAM |
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