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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HM5113805F |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | 128 M EDO（Extended Data Output） DRAM(128M 擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出模式動(dòng)態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 128米江戶（擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出）內(nèi)存（128M的擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出模式動(dòng)態(tài)內(nèi)存） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 7/34頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 466K |
| 代理商： | HM5113805F |
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HM5112805F-6, HM5113805F-6
7
Operation Table
RAS
CAS
WE
OE
I/O 0 to I/O 7
Operation
H
×
×
×
High-Z
Standby
L
L
H
L
Dout
Read cycle
L
L
L*
2
×
Din
Early write cycle
L
L
L*
2
H
Din
Delayed write cycle
L
L
H to L
L to H
Dout/Din
Read-modify-write cycle
RAS
-only refresh cycle
CAS
-before-
RAS
refresh cycle
L
H
×
×
×
High-Z
H to L
L
H
High-Z
L
Notes: 1. H: V
IH
(inactive), L: V
IL
(active),
×
: V
IH
or V
IL
2. t
WCS
≥
0 ns: Early write cycle
t
WCS
< 0 ns: Delayed write cycle
L
H
H
High-Z
Read cycle (Output disabled)
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Symbol
Value
Unit
Terminal voltage on any pin relative to V
SS
Power supply voltage relative to V
SS
Short circuit output current
V
T
V
CC
Iout
–0.5 to V
CC
+ 0.5 (
≤
4.6 V (max))
–0.5 to +4.6
V
V
50
mA
Power dissipation
P
T
Tstg
1.0
W
Storage temperature
–55 to +125
°
C
DC Operating Conditions
Parameter
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Notes
Supply voltage
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
Ta
3.0
3.3
3.6
V
1, 2
0
0
0
V
2
Input high voltage
2.0
—
V
CC
+ 0.3
0.8
V
1
Input low voltage
–0.3
—
V
1
Ambient temperature range
Notes: 1. All voltage referred to V
SS
.
2. The supply voltage with all V
pins must be on the same level. The supply voltage with all V
SS
pins must be on the same level.
0
—
70
C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HM5113165F | 128M EDO DRAM(128M 擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出模式動(dòng)態(tài)RAM) |
| HM5116100 | 16M FP DRAM (16-Mword x 1-bit) 4k Refresh |
| HM5116100S | 16M FP DRAM (16-Mword x 1-bit) 4k Refresh |
| HM5116100S-6 | 16M FP DRAM (16-Mword x 1-bit) 4k Refresh |
| HM5116100S-7 | 16M FP DRAM (16-Mword x 1-bit) 4k Refresh |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HM5113805F-6 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:128M EDO DRAM (16-Mword x 8-bit) 8k refresh/4k refresh |
| HM5113805FLTD-6 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:128M EDO DRAM (16-Mword x 8-bit) 8k refresh/4k refresh |
| HM5113805FTD-5 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:DRAM|EDO|16MX8|CMOS|TSOP|32PIN|PLASTIC |
| HM5113805FTD-6 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:128M EDO DRAM (16-Mword x 8-bit) 8k refresh/4k refresh |
| HM5113805LTD-6 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 EDO Page Mode DRAM |
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