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參數(shù)資料
| 型號： | HM5117805TS-7 |
| 廠商： | ELPIDA MEMORY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 16 M EDO DRAM (2-Mword X 8-bit) 2 k Refresh |
| 中文描述： | 2M X 8 EDO DRAM, 70 ns, PDSO28 |
| 封裝： | 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-28 |
| 文件頁數(shù)： | 10/32頁 |
| 文件大小： | 549K |
| 代理商： | HM5117805TS-7 |
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EO rdc
HM5117805 Series
Data Sheet E0156H10
10
Write Cycle
HM5117805
-5
-6
-7
Parameter
Symbol
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Unit
Notes
Write command setup time
t
WCS
t
WCH
t
WP
t
RWL
t
CWL
t
DS
t
DH
0
—
0
—
0
—
ns
14
Write command hold time
7
—
10
—
13
—
ns
Write command pulse width
Write command to
RAS
lead time
Write command to
CAS
lead time
7
—
10
—
10
—
ns
7
—
10
—
13
—
ns
7
—
10
—
13
—
ns
Data-in setup time
0
—
0
—
0
—
ns
15
Data-in hold time
7
—
10
—
13
—
ns
15
Read-Modify-Write Cycle
HM5117805
-5
-6
-7
Parameter
Symbol
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Unit
Notes
Read-modify-write cycle time
RAS
to
WE
delay time
CAS
to
WE
delay time
Column address to
WE
delay time
OE
hold time from
WE
t
RWC
t
RWD
t
CWD
t
AWD
t
OEH
111
—
135
—
161
—
ns
67
—
79
—
92
—
ns
14
30
—
34
—
40
—
ns
14
42
—
49
—
57
—
ns
14
13
—
15
—
18
—
ns
Refresh Cycle
HM5117805
-5
-6
-7
Parameter
CAS
setup time (CBR refresh cycle) t
CSR
CAS
hold time (CBR refresh cycle)
WE
setup time (CBR refresh cycle)
WE
hold time (CBR refresh cycle)
RAS
precharge to
CAS
hold time
Symbol
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Unit
Notes
5
—
5
—
5
—
ns
t
CHR
t
WRP
t
WRH
t
RPC
7
—
10
—
10
—
ns
0
—
0
—
0
—
ns
7
—
10
—
10
—
ns
5
—
5
—
5
—
ns
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HM5117805LJ-6 | 16 M EDO DRAM (2-Mword X 8-bit) 2 k Refresh |
| HM5117805LJ-7 | 16 M EDO DRAM (2-Mword X 8-bit) 2 k Refresh |
| HM5118160BLJ-6 | 1048576-word x 16-bit Dynamic Random Access Memory |
| HM5118160BLJ-7 | 1048576-word x 16-bit Dynamic Random Access Memory |
| HM5118160BLJ-8 | 1048576-word x 16-bit Dynamic Random Access Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HM5117805TT-5 | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:16 M EDO DRAM (2-Mword X 8-bit) 2 k Refresh |
| HM5117805TT-6 | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:16 M EDO DRAM (2-Mword X 8-bit) 2 k Refresh |
| HM5117805TT-7 | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:16 M EDO DRAM (2-Mword X 8-bit) 2 k Refresh |
| HM51180J | 制造商:TT Electronics / BI Technologies 功能描述:Inductor Power Wirewound 18uH 5% 1KHz 4.7A 23mOhm DCR AXL 制造商:TT Electronics / BI Technologies 功能描述:Ind Power Wirewound 18uH 5% 1KHz 4.7A AXL |
| HM51-180JLF | 制造商:BITECH 制造商全稱:Bi technologies 功能描述:Axially Leaded Miniature Power Inductors |
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