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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HM514260CLTT-6 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | 262,144-word x 16-bit Dynamic Random Access Memory |
| 中文描述： | 262,144字× 16位動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 6/27頁(yè) |
| 文件大小： | 260K |
| 代理商： | HM514260CLTT-6 |
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HM514260C, HM51S4260C Series
6
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Symbol
Value
Unit
Voltage on any pin relative to V
SS
Supply voltage relative to V
SS
Short circuit output current
V
T
V
CC
Iout
–
1.0 to +7.0
V
–
1.0 to +7.0
V
50
mA
Power dissipation
P
T
Topr
1.0
W
Operating temperature
0 to +70
°
C
°
C
Storage temperature
Tstg
–
55 to +125
Recommended DC Operating Conditions
(Ta = 0 to +70
°
C)
*2
Parameter
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Notes
Supply voltage
V
SS
V
CC
(HM51(S)4260C-6/7/8) 4.5
V
CC
(HM51(S)4260C-6R)
V
IH
V
IL
0
0
0
V
2
5.0
5.5
V
1, 2
4.75
5.0
5.25
V
1, 2
Input high voltage
2.4
—
6.5
V
1
Input low voltage
Notes: 1. All voltage referred to V
SS
.
2. The supply voltage with all V
CC
pins must be on the same level.
The supply voltage with all V
SS
pins must be on the same level.
–
1.0
—
0.8
V
1
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HM514260CLTT-6R | 262,144-word x 16-bit Dynamic Random Access Memory |
| HM514260CLTT-7 | 262,144-word x 16-bit Dynamic Random Access Memory |
| HM514260CLTT-8 | 262,144-word x 16-bit Dynamic Random Access Memory |
| HM514260CTT-6 | 262,144-word x 16-bit Dynamic Random Access Memory |
| HM514260CTT-6R | 262,144-word x 16-bit Dynamic Random Access Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HM514260CLTT-6R | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:x16 Fast Page Mode DRAM |
| HM514260CLTT-7 | 制造商:HITACHI 制造商全稱(chēng):Hitachi Semiconductor 功能描述:262,144-word x 16-bit Dynamic Random Access Memory |
| HM514260CLTT-8 | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:x16 Fast Page Mode DRAM |
| HM514260CLZ-6 | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:x16 Fast Page Mode DRAM |
| HM514260CLZ-7 | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:x16 Fast Page Mode DRAM |
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