參數(shù)資料
型號： HM5251165B
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： 512-Mbit SDRAM(512M位同步RAM)
中文描述： 512兆位的SDRAM（512M位同步內(nèi)存）
文件頁數(shù)： 29/64頁
文件大?。?/td> 1030K
代理商： HM5251165B
HM5251165B/HM5251805B/HM5251405B-75/A6/B6
29
Read command to Write command interval:
1. Same bank, same ROW address:
When the write command is executed at the same ROW address of the
same bank as the preceding read command, the write command can be performed after an interval of no less
than 1 clock. However, DQM, DQMU/DQML must be set High so that the output buffer becomes High-Z
before data input.
READ to WRITE Command Interval (1)
CLK
Command
Dout
in B2
in B3
READ
WRIT
in B0
in B1
High-Z
Din
CL=2
CL=3
DQM,
DQMU
/DQML
Burst Length = 4
Burst write
READ to WRITE Command Interval (2)
CLK
Command
Dout
READ
WRIT
Din
CL=2
CL=3
DQM,
DQMU/DQML
High-Z
2 clock
High-Z
2. Same bank, different ROW address:
When the ROW address changes, consecutive write commands
cannot be executed; it is necessary to separate the two commands with a precharge command and a bank-
active command.
3. Different bank:
When the bank changes, the write command can be performed after an interval of no less
than 1 cycle, provided that the other bank is in the bank-active state. However, DQM, DQMU/DQML must
be set High so that the output buffer becomes High-Z before data input.
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PDF描述
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