參數(shù)資料
型號(hào)： HM5251165B
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： 512-Mbit SDRAM(512M位同步RAM)
中文描述： 512兆位的SDRAM（512M位同步內(nèi)存）
文件頁(yè)數(shù)： 41/64頁(yè)
文件大?。?/td> 1030K
代理商： HM5251165B
HM5251165B/HM5251805B/HM5251405B-75/A6/B6
41
V
CC
, V
CC
Q
Power up sequence
Initialization sequence
100
μ
s
0 V
Low
Low
Low
CKE, DQM,
DQMU/DQML
CLK
CS
, DQ
200
μ
s
Power stabilize
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Symbol
Value
Unit
Note
Voltage on any pin relative to V
SS
V
T
–0.5 to V
+ 0.5
(
≤
4.6 (max))
V
1
Supply voltage relative to V
SS
Short circuit output current
V
CC
Iout
–0.5 to +4.6
V
1
50
mA
Power dissipation
P
T
Topr
1.0
W
Operating temperature
0 to +70
°C
Storage temperature
Note:
1. Respect to V
SS
Tstg
–55 to +125
°C
DC Operating Conditions
(Ta = 0 to +70C)
Parameter
Symbol
Min
Max
Unit
Notes
Supply voltage
V
CC
, V
CC
Q
V
SS
, V
SS
Q
V
IH
V
IL
3.0
3.6
V
1, 2
0
0
V
3
Input high voltage
2.0
V
CC
+ 0.3
0.8
V
1, 4
Input low voltage
Notes: 1. All voltage referred to V
SS
2. The supply voltage with all V
CC
and V
CC
Q pins must be on the same level.
3. The supply voltage with all V
SS
and V
SS
Q pins must be on the same level.
4. V
IH
(max) = V
CC
+ 2.0 V for pulse width
≤
3 ns at V
CC
.
5. V
IL
(min) = V
SS
– 2.0 V for pulse width
≤
3 ns at V
SS
.
–0.3
V
1, 5
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