參數(shù)資料
型號: HM5257805BTD-75
廠商: ELPIDA MEMORY INC
元件分類: DRAM
英文描述: 512M LVTTL interface SDRAM 133 MHz/100 MHz 8-Mword 】 16-bit 】 4-bank/16-Mword 】 8-bit 】 4-bank /32-Mword 】 4-bit 】 4-bank PC/133, PC/100 SDRAM
中文描述: 64M X 8 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54
封裝: 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-54
文件頁數(shù): 1/62頁
文件大小: 463K
代理商: HM5257805BTD-75
Elpida Memory, Inc. is a joint venture DRAM company of NEC Corporation and Hitachi, Ltd.
HM5257165B-75/A6
HM5257805B-75/A6
HM5257405B-75/A6
512M LVTTL interface SDRAM
133 MHz/100 MHz
8-Mword
×
16-bit
×
4-bank/16-Mword
×
8-bit
×
4-bank
/32-Mword
×
4-bit
×
4-bank
PC/133, PC/100 SDRAM
E0081H10 (1st edition)
(Previous ADE-203-1237A (Z))
Jan. 31, 2001
Description
The HM5257165B is a 512-Mbit SDRAM organized as 8388608-word
×
16-bit
×
4 bank. The HM5257805B
is a 512-Mbit SDRAM organized as 16777216-word
×
8-bit
×
4 bank. The HM5257405B is a 512-Mbit
SDRAM organized as 33554432-word
×
4-bit
×
4 bank. All inputs and outputs are referred to the rising edge
of the clock input. It is packaged in standard 54-pin plastic TSOP II.
Features
3.3 V power supply
Clock frequency: 133 MHz/100 MHz (max)
LVTTL interface
Single pulsed
RAS
4 banks can operate simultaneously and independently
Burst read/write operation and burst read/single write operation capability
Programmable burst length: 1/2/4/8
2 variations of burst sequence
Sequential (BL = 1/2/4/8)
Interleave (BL = 1/2/4/8)
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PDF描述
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