- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄370623 > HM5425161B (Hitachi,Ltd.) 256M SSTL_2 interface DDR SDRAM(256M SSTL_2接口 DDR 同步DRAM) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | HM5425161B |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | 256M SSTL_2 interface DDR SDRAM(256M SSTL_2接口 DDR 同步DRAM) |
| 中文描述： | 256M DDR SDRAM的接口SSTL_2（256M SSTL_2接口的DDR同步DRAM）的 |
| 文件頁數(shù)： | 33/62頁 |
| 文件大?。?/td> | 1016K |
| 代理商： | HM5425161B |
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HM5425161B, HM5425801B, HM5425401B Series
33
A Read command to the consecutive Write command interval with the BST command
Destination row of the
consecutive write command
Bank
address
Row
address
State
Operation
1. Same
Same
ACTIVE
Issue the BST command. t
(
≥
t
) after the BST command, the
consecutive write command can be issued.
2. Same
Different
—
Precharge the bank to interrupt the preceding read operation. t
after
the precharge command, issue the ACTV command. t
after the
ACTV command, the consecutive write command can be issued. See
‘A read command to the consecutive precharge interval’ section.
3. Different
Any
ACTIVE
Issue the BST command. t
(
≥
t
) after the BST command, the
consecutive write command can be issued.
IDLE
Precharge the bank independently of the preceding read operation.
t
after the precharge command, issue the ACTV command. t
after
the ACTV command, the consecutive write command can be issued.
READ to WRITE Command Interval
Q0
Q1
D0
D1
D2
D3
CLK
CLK
DM,
DMU/DML
DQ
Command
t1
t0
t2
t3
t4
t5
t6
t7
t8
!
"
#
Burst Length = 4
CAS
Latency= 2
DQS,
DQSU/DQSL
OUTPUT
INPUT
t
BSTW (
≥
t
BSTZ)
High-Z
READ
WRIT
BST
NOP
NOP
t
BSTZ (= CL)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HM5425401B | 256M SSTL_2 interface DDR SDRAM(256M SSTL_2接口 DDR 同步DRAM) |
| HM5425801B | 256M SSTL_2 interface DDR SDRAM(256M SSTL_2接口 DDR 同步DRAM) |
| HM6116LP-2 | 2048-word X 8bit High Speed CMOS Static RAM |
| HM6116LP-3 | 2048-word X 8bit High Speed CMOS Static RAM |
| HM6116LP-4 | 2048-word X 8bit High Speed CMOS Static RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HM5425161B/801B/401B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Series 256M SSTL-2 Interface DDR SDRAM 143 MHz/133 MHz/125 |
| HM5425161BTT-10 | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:256M SSTL_2 interface DDR SDRAM 143 MHz/133 MHz/125 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank/ 16-Mword 】 4-bit 】 4-bank |
| HM5425161BTT-75A | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:256M SSTL_2 interface DDR SDRAM 143 MHz/133 MHz/125 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank/ 16-Mword 】 4-bit 】 4-bank |
| HM5425161BTT-75B | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:256M SSTL_2 interface DDR SDRAM 143 MHz/133 MHz/125 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank/ 16-Mword 】 4-bit 】 4-bank |
| HM5425401B | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:256M SSTL_2 interface DDR SDRAM 143 MHz/133 MHz/125 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank/ 16-Mword 】 4-bit 】 4-bank |
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