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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HN29V51211 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | 512M AND type Flash Memory More than 32,113-sector (542,581,248-bit) |
| 中文描述： | 512M超過32113型快閃記憶體部門（542581248位） |
| 文件頁數(shù)： | 18/42頁 |
| 文件大小： | 306K |
| 代理商： | HN29V51211 |
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HN29V51211 Series
18
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Symbol
Value
Unit
Notes
V
CC
voltage
V
SS
voltage
All input and output voltages
V
CC
V
SS
Vin, Vout
–0.6 to +4.6
V
1
0
V
–0.6 to +4.6
V
1, 2
Operating temperature range
Topr
0 to +70
C
Storage temperature range
Tstg
–65 to +125
C
3
Storage temperature under bias
Notes: 1. Relative to V
SS
.
2. Vin, Vout = –2.0 V for pulse width 20 ns.
3. Device storage temperature range before programming.
Tbias
–10 to +80
C
Capacitance
(Ta = 25C, f = 1 MHz)
Parameter
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test conditions
Input capacitance
Cin
—
—
6
pF
Vin = 0 V
Output capacitance
Cout
—
—
12
pF
Vout = 0 V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HN29V51211T-50 | 512M AND type Flash Memory More than 32,113-sector (542,581,248-bit) |
| HN29W12811T-60 | 128M AND type Flash Memory More than 8,029-sector (135,657,984-bit) |
| HN29W12811 | 128M AND type Flash Memory More than 8,029-sector (135,657,984-bit) |
| HN29W12814A | 128M AND type Flash Memory(128M AND型閃速存儲(chǔ)器) |
| HN29W25611T-50 | 256M AND type Flash Memory More than 16,057-sector (271,299,072-bit) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HN29V51211T-50 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:512M AND type Flash Memory More than 32,113-sector (542,581,248-bit) |
| HN29V51211T-50H | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Flash Application Design Guidelines Others |
| HN29VB800R-10 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8/x16 Flash EEPROM |
| HN29VB800R-12 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8/x16 Flash EEPROM |
| HN29VB800SERIES | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8/x16 Flash EEPROM |
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