- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄370645 > HN29V51211 (Hitachi,Ltd.) 512M AND type Flash Memory More than 32,113-sector (542,581,248-bit) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | HN29V51211 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | 512M AND type Flash Memory More than 32,113-sector (542,581,248-bit) |
| 中文描述： | 512M超過32113型快閃記憶體部門（542581248位） |
| 文件頁數(shù)： | 21/42頁 |
| 文件大小： | 306K |
| 代理商： | HN29V51211 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁當(dāng)前第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁
HN29V51211 Series
21
Parameter
SC setup for
WE
CE
hold time for
OE
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test conditions
Notes
t
SW
t
COH
t
SCD
t
RS
t
DB
t
RBSY
50
—
—
ns
0
—
—
ns
SA (2) to CA (2) delay time
RDY/
Busy
setup for SC
—
—
30
μs
200
—
—
ns
Time to device busy
—
—
150
ns
Busy time on reset mode
Notes: 1. t
DF
is a time after which the I/O pins become open.
2. t
(min) is specified as a reference point only for SC, if t
WSD
is greater than the specified t
WSD
(min)
limit, then access time is controlled exclusively by t
SAC
.
—
45
—
μs
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HN29V51211T-50 | 512M AND type Flash Memory More than 32,113-sector (542,581,248-bit) |
| HN29W12811T-60 | 128M AND type Flash Memory More than 8,029-sector (135,657,984-bit) |
| HN29W12811 | 128M AND type Flash Memory More than 8,029-sector (135,657,984-bit) |
| HN29W12814A | 128M AND type Flash Memory(128M AND型閃速存儲器) |
| HN29W25611T-50 | 256M AND type Flash Memory More than 16,057-sector (271,299,072-bit) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HN29V51211T-50 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:512M AND type Flash Memory More than 32,113-sector (542,581,248-bit) |
| HN29V51211T-50H | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Flash Application Design Guidelines Others |
| HN29VB800R-10 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8/x16 Flash EEPROM |
| HN29VB800R-12 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8/x16 Flash EEPROM |
| HN29VB800SERIES | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8/x16 Flash EEPROM |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。