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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HN29V51211 |
| 廠(chǎng)商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | 512M AND type Flash Memory More than 32,113-sector (542,581,248-bit) |
| 中文描述： | 512M超過(guò)32113型快閃記憶體部門(mén)（542581248位） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 34/42頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 306K |
| 代理商： | HN29V51211 |
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HN29V51211 Series
34
Data Recovery Read Timing Waveform
CE
OE
WE
CDE
RES
t
CES
t
CPH
t
COH
t
CEH
t
WP
t
WP
t
CDH
t
SCC
t
SP
t
SAC
t
SAC
t
SCC
t
SOH
SC
I/O0 to I/O7
t
SCS
t
OEL
t
OES
t
CDS
t
DS
t
DH
High-Z
High
RDY
/
Busy
01H
FFH
D0out
D1out
D2111out
Notes: 1. The status returns to the standby at the rising edge of
CE
.
2. Output data is not valid after the number of the SC pulse exceed 2112 in the recovery data read mode.
3. After any commands are written, the status can turns to the standby after the command FFH is input
and
CE
turns to the V
IH
level.
t
OEWS
t
OER
t
SH
t
SH
t
SAC
t
SAC
t
CDS
*
3
*
1
*
2
*
2
t
DS
t
CDH
t
DH
t
SPL
t
DF
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HN29V51211T-50 | 512M AND type Flash Memory More than 32,113-sector (542,581,248-bit) |
| HN29W12811T-60 | 128M AND type Flash Memory More than 8,029-sector (135,657,984-bit) |
| HN29W12811 | 128M AND type Flash Memory More than 8,029-sector (135,657,984-bit) |
| HN29W12814A | 128M AND type Flash Memory(128M AND型閃速存儲(chǔ)器) |
| HN29W25611T-50 | 256M AND type Flash Memory More than 16,057-sector (271,299,072-bit) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HN29V51211T-50 | 制造商:HITACHI 制造商全稱(chēng):Hitachi Semiconductor 功能描述:512M AND type Flash Memory More than 32,113-sector (542,581,248-bit) |
| HN29V51211T-50H | 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述:Flash Application Design Guidelines Others |
| HN29VB800R-10 | 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述:x8/x16 Flash EEPROM |
| HN29VB800R-12 | 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述:x8/x16 Flash EEPROM |
| HN29VB800SERIES | 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述:x8/x16 Flash EEPROM |
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