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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HN29W12811 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | 128M AND type Flash Memory More than 8,029-sector (135,657,984-bit) |
| 中文描述： | 128M的超過8029型快閃記憶體部門（135657984位） |
| 文件頁數(shù)： | 20/42頁 |
| 文件大小： | 315K |
| 代理商： | HN29W12811 |
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HN29W12811 Series
20
HN29W12811
-60
Parameter
RES
high to device ready
CE
pulse high time
CE
,
WE
setup time for RES
RES
to
CE
,
WE
hold time
SC setup for
WE
CE
hold time for
OE
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test conditions
Notes
t
BSY
t
CPH
t
CWRS
t
CWRH
t
SW
t
COH
t
SCD
t
RS
—
—
1
ms
200
—
—
ns
0
—
—
ns
0
—
—
ns
50
—
—
ns
0
—
—
ns
SA (2) to CA (2) delay time
RDY/
Busy
setup for SC
—
—
30
μ
s
200
—
—
ns
Time to device busy on read mode t
DBR
Busy time on reset mode
Notes: 1. t
DF
is a time after which the I/O pins become open.
2. t
(min) is specified as a reference point only for SC, if t
WSD
is greater than the specified t
WSD
(min)
limit, then access time is controlled exclusively by t
SAC
.
—
—
1
μ
s
μ
s
t
RBSY
—
45
—
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HN29W12814A | 128M AND type Flash Memory(128M AND型閃速存儲(chǔ)器) |
| HN29W25611T-50 | 256M AND type Flash Memory More than 16,057-sector (271,299,072-bit) |
| HN29W25611T | 256M AND type Flash Memory More than 16,057-sector (271,299,072-bit) |
| HN29W25611T-50H | 256M AND type Flash Memory More than 16,057-sector (271,299,072-bit) |
| HN29W25611 | 256M AND type Flash Memory(256M AND型閃速存儲(chǔ)器) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| HN29W12811T-60 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:128M AND type Flash Memory More than 8,029-sector (135,657,984-bit) |
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| HN29W12814ATT-50 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:EEPROM|AND FLASH|2X8448KX8|CMOS|TSOP|48PIN|PLASTIC |
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