參數(shù)資料
型號： HUF75631P3
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 33A, 100V, 0.040 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFETs
中文描述： 33 A, 100 V, 0.04 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
文件頁數(shù)： 3/11頁
文件大?。?/td> 356K
代理商： HUF75631P3
3
Typical Performance Curves
FIGURE 1. NORMALIZED POWER DISSIPATION vs AMBIENT
TEMPERATURE
FIGURE 2. MAXIMUM CONTINUOUS DRAIN CURRENT vs
AMBIENT TEMPERATURE
FIGURE 3. NORMALIZED MAXIMUM TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE
FIGURE 4. PEAK CURRENT CAPABILITY
T
A
, AMBIENT TEMPERATURE (
o
C)
P
0
0
25
50
75
100
150
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
125
2
4
5
6
50
75
100
125
0
25
I
D
,
T
A
, AMBIENT TEMPERATURE (
o
C)
150
V
GS
= 10V, R
θ
JA
= 50
o
C/W
3
1
0.001
0.01
0.1
1
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
t, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
Z
θ
J
,
T
SINGLE PULSE
NOTES:
DUTY FACTOR: D = t
1
/t
2
PEAK T
J
= P
DM
x Z
θ
JA
x R
θ
JA
+ T
A
P
DM
t
1
t
2
DUTY CYCLE - DESCENDING ORDER
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
R
θ
JA
= 50
o
C/W
10
10
500
1
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
3
10
-5
I
D
,
t, PULSE WIDTH (s)
TRANSCONDUCTANCE
MAY LIMIT CURRENT
IN THIS REGION
T
A
= 25
o
C
FOR TEMPERATURES
ABOVE 25
o
C DERATE PEAK
CURRENT AS FOLLOWS:
I = I
25
150 - T
A
125
100
V
GS
= 10V
R
θ
JA
= 50
o
C/W
10
1
10
2
HUF75631SK8
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HUF75631SK8 5.5A, 100V, 0.039 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFET
HUF75631S3ST 33A, 100V, 0.040 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFETs
HUF75639G3 DIODE ZENER SINGLE 200mW 5.1Vz 20mA-Izt 0.05 5uA-Ir 2 SOT-323 3K/REEL
HUF75639S3S 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
HUF75639P3 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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HUF75631S3ST 功能描述:MOSFET 100V NCh PowerMOSFET UltraFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
HUF75631SK8 功能描述:MOSFET USE 512-FDS3682 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
HUF75631SK8T 功能描述:MOSFET 100V NCh PowerMOSFET UltraFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
HUF75631SK8T_NB82083 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:
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