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參數(shù)資料
| 型號： | HY27SS16561M |
| 廠商： | Hynix Semiconductor Inc. |
| 英文描述： | 256Mbit (32Mx8bit / 16Mx16bit) NAND Flash |
| 中文描述： | 片256Mbit（32Mx8bit / 16Mx16bit）NAND閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 44/44頁 |
| 文件大?。?/td> | 733K |
| 代理商： | HY27SS16561M |
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Rev 0.7 / Oct. 2004
44
HY27SS(08/16)561M Series
HY27US(08/16)561M Series
256Mbit (32Mx8bit / 16Mx16bit) NAND Flash
MARKING INFORMATION -
FBGA
Packag
Marking Example
FBGA
H
Y
x
S
x
x
5
6
1
M
x
x
x
Y
W
W
x
x
K
O
R
- HY27xSxx121mTxB
HY:
HYNIX
x:
Power Supply
S:
Classification
xx:
Bit Organization
56:
Density
1:
Mode
M:
Version
: U(2.7V~3.6V), S(1.7V~2.2V)
: Single Level Cell+Single Die
: 08(x8), 16(x16)
: 256Mb
: 1nCE & 1R/nB; CE don't care
: 1st Generation
: Blank(Normal), P(Lead Free)
: C(0
℃
~70
℃
), E(-25
℃
~85
℃
)
I(-40
℃
~85
℃
)
: B(Included Bad Block), S(1~5 Bad Block),
P(All Good Block)
: Part Number
x:
Package Material
x:
Operating Temperature
x:
Bad Block
- Y:
Year (ex: 4=year 2004, 05= year 2005)
- ww:
Work Week (ex: 12= work week 12)
- xx:
Process Code
- Kor
Note
- Capital Letter
- Small Letter
: Fixed Item
: Non-fixed Item
: Origin Country
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY27US08561M | 256Mbit (32Mx8bit / 16Mx16bit) NAND Flash |
| HY27SSxxx | 512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash |
| HY27SS08121M | 512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash |
| HY27SS16121M | 512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash |
| HY27US08121M | 512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY27SS561M | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:256Mbit (32Mx8bit / 16Mx16bit) NAND Flash |
| HY27SSXXX | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash |
| HY27UA081G1M | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory |
| HY27UA161G1M | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory |
| HY27UA1G1M | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory |
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