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參數資料
| 型號： | HY27US16121M |
| 廠商： | Hynix Semiconductor Inc. |
| 英文描述： | 512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash |
| 中文描述： | 512兆（64Mx8bit / 32Mx16bit）NAND閃存 |
| 文件頁數： | 16/43頁 |
| 文件大?。?/td> | 729K |
| 代理商： | HY27US16121M |
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Rev 0.6 / Oct. 2004
16
HY27SS(08/16)121M Series
HY27US(08/16)121M Series
512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash
Figure 12. Sequential Row Read Operation
Area A
(1
st
half Page)
Area B
Area C
Read A Command, x8 Devices
(2
nd
half Page) (Spare)
Block
N
th
Page
Read B Command, x8 Devices
Area A
(1
st
half Page)
Area B
(2
nd
half Page)
Area C
(Spare)
Block
N
th
Page
(main area)
(Spare)
Read A Command, x16 Devices
2
nd
Page
N
th
Page
Block
Area A
Area A/B
(Spare)
Read C Command, x8/x16 Devices
N
th
Page
Block
2
nd
Page
1
st
Page
2
nd
Page
1
st
Page
Area A
Area C
1
st
Page
Area C
2
nd
Page
1
st
Page
Figure 13. Sequential Row Read Block Diagrams
Busy
Busy
Busy
tBLBH1
(Read Busy time)
tBLBH1
tBLBH1
Address Inputs
I/O
00h/
01h/50h
1st
Page Output
2nd
Page Output
Nth
Page Output
Command
Code
RB
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY29F002TC-70 | 2 Megabit (256K x 8), 5 Volt-only, Flash Memory |
| HY29F002TC-45 | 2 Megabit (256K x 8), 5 Volt-only, Flash Memory |
| HY29F002TC-55 | 2 Megabit (256K x 8), 5 Volt-only, Flash Memory |
| HY29F002T | 2 Megabit (256K x 8), 5 Volt-only, Flash Memory |
| HY29F002TC-90 | 2 Megabit (256K x 8), 5 Volt-only, Flash Memory |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| HY27US16122B | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash |
| HY27US161G1M | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash |
| HY27US16281A | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:128Mbit (16Mx8bit / 8Mx16bit) NAND Flash Memory |
| HY27US16282A | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:128Mbit (16Mx8bit / 8Mx16bit) NAND Flash Memory |
| HY27US16561A | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:256Mbit (32Mx8bit / 16Mx16bit) NAND Flash |
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