- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄385414 > HY27US16121M (Hynix Semiconductor Inc.) 512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | HY27US16121M |
| 廠商： | Hynix Semiconductor Inc. |
| 英文描述： | 512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash |
| 中文描述： | 512兆（64Mx8bit / 32Mx16bit）NAND閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 27/43頁 |
| 文件大?。?/td> | 729K |
| 代理商： | HY27US16121M |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁當(dāng)前第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁
Rev 0.6 / Oct. 2004
27
HY27SS(08/16)121M Series
HY27US(08/16)121M Series
512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash
Table 13: DC Characteristics, 3.3V Device and 1.8V Device
Sym-
bol
Parameter
Test Condition
3.3V Device
1.8V Device
Unit
Min
Typ
Max
Min
Typ
Max
I
CC1
Operating
Current
Sequentia
Read
t
RLRL
minimum
CE=V
IL
, I
OUT
= 0 mA
-
10
20
-
8
15
mA
I
CC2
Program
-
-
10
20
-
8
15
mA
I
CC3
Erase
-
-
10
20
-
8
15
mA
I
CC4
Stand-by Current (TTL)
CE=V
IH
, WP=0V/V
CC
-
-
1
-
-
1
mA
I
CC5
Stand-By Current
(CMOS)
CE=V
CC
-0.2,
WP=0/V
CC
-
10
50
-
10
50
uA
I
LI
Input Leakage Current
V
IN
= 0 to V
CC
max
-
-
±
10
-
-
±
10
uA
I
LO
Output Leakage Current
V
OUT
= 0 to V
CC
max
-
-
±
10
-
-
±
10
uA
V
IH
Input High Voltage
-
2.0
-
V
CC
+0.3
V
CC
-0.4
V
CC
+0.3
V
V
IL
Input Low Voltage
-
-0.3
-
0.8
-0.3
0.4
V
V
OH
Output High Voltage Level
3.3V I
OH
= -400uA
2.4
-
-
V
CC
-0.1
-
-
V
1.8V I
OH
= -100uA
V
OL
Output Low Voltage Level
3.3V I
OL
= 2.1mA
-
-
0.4
-
-
0.1
V
1.8V I
OL
= 100uA
I
OL
(RB)
Output Low Current (RB)
3.3V V
OL
= 0.4V
8
10
-
3
4
-
mA
1.8V V
OL
= 0.1V
V
LKO
V
DD
Supply Voltage
(Erase and Program
lockout)
-
-
-
2.5
-
-
1.5
V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY29F002TC-70 | 2 Megabit (256K x 8), 5 Volt-only, Flash Memory |
| HY29F002TC-45 | 2 Megabit (256K x 8), 5 Volt-only, Flash Memory |
| HY29F002TC-55 | 2 Megabit (256K x 8), 5 Volt-only, Flash Memory |
| HY29F002T | 2 Megabit (256K x 8), 5 Volt-only, Flash Memory |
| HY29F002TC-90 | 2 Megabit (256K x 8), 5 Volt-only, Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY27US16122B | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash |
| HY27US161G1M | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash |
| HY27US16281A | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:128Mbit (16Mx8bit / 8Mx16bit) NAND Flash Memory |
| HY27US16282A | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:128Mbit (16Mx8bit / 8Mx16bit) NAND Flash Memory |
| HY27US16561A | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:256Mbit (32Mx8bit / 16Mx16bit) NAND Flash |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。