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參數(shù)資料
| 型號： | HY29F040A |
| 廠商： | Hynix Semiconductor Inc. |
| 英文描述： | 512K x 8-bit CMOS 5.0 volt-only, Sector Erase Flash Memory |
| 中文描述： | 為512k × 8位CMOS 5.0伏只，扇區(qū)擦除閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 20/40頁 |
| 文件大小： | 282K |
| 代理商： | HY29F040A |
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20
HY29F040A
DC CHARACTERISTICS
TTL/NMOS Compatible
Parameter
Symbol
Parameter Description
Input Load Current
A9 Input Load Current
Output Leakage Current
Vcc Active Current
(1)
Vcc Active Current
(2,3)
Vcc Standby Current
Input Low Level
Input High Level
Test Conditions
V
IN
= Vss to Vcc, Vcc = Vcc Max.
Vcc = Vcc Max., A9 = V
ID
V
OUT
= Vss to Vcc, Vcc = Vcc Max.
/CE = V
IL
, /OE = V
IH
/CE = V
IL
, /OE = V
IH
Vcc = Vcc Max., /CE = V
IH
Min.
Max.
±1.0
50
±1.0
40
60
1.0
0.8
Vcc
+ 0.5
Unit
m
A
m
A
m
A
mA
mA
mA
V
I
LI
I
LIT
I
LO
I
CC1
I
CC2
I
CC3
V
IL
V
IH
-0.5
2.0
V
V
ID
Voltage for Electronic ID
and Sector Protect
Output Low Voltage
Output High Voltage
Low Vcc Lock-Out Voltage
Vcc = 5.0 V
I
OL
= 12 mA, Vcc = Vcc Min.
I
OH
= -2.5 mA, Vcc = Vcc Min.
11.5
12.5
0.45
V
V
V
V
V
OL
V
OH
V
LKO
2.4
3.2
4.2
Notes:
1.
The Icc current listed includes both the DC operating current and the frequency dependent component
(at 6 MHz). The frequency component typically is less than 1 mA/MHz, with /OE at V
IH
.
Icc active while Internal Algorithm (program or erase) is in progress.
Not 100% tested.
2.
3.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY29F080T70 | 8 Megabit (1M x 8), 5 Volt-only, Flash Memory |
| HY29F080 | 8 Megabit (1M x 8), 5 Volt-only, Flash Memory |
| HY29F080G12 | 8 Megabit (1M x 8), 5 Volt-only, Flash Memory |
| HY29F080G70 | 8 Megabit (1M x 8), 5 Volt-only, Flash Memory |
| HY29F080G90 | 8 Megabit (1M x 8), 5 Volt-only, Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| HY29F040AC-15 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:512K x 8-bit CMOS 5.0 volt-only, Sector Erase Flash Memory |
| HY29F040AC-15E | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:512K x 8-bit CMOS 5.0 volt-only, Sector Erase Flash Memory |
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