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參數(shù)資料
| 型號： | HY29F040A |
| 廠商： | Hynix Semiconductor Inc. |
| 英文描述： | 512K x 8-bit CMOS 5.0 volt-only, Sector Erase Flash Memory |
| 中文描述： | 為512k × 8位CMOS 5.0伏只，扇區(qū)擦除閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 26/40頁 |
| 文件大?。?/td> | 282K |
| 代理商： | HY29F040A |
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26
HY29F040A
SWITCHING WAVEFORMS
Data Polling
Addresses
CE
OE
WE
Data
5.0V
5555H
PA
PA
t
WC
t
AS
t
AH
t
GHWL
t
WP
t
CS
t
WPH
t
DS
t
DH
A0H
PD
t
WHWH1
DQ7
D
OUT
GND
V
CC
Notes:
1. PA is address of the memory location to be programmed.
2. PD is data to be programmed at byte address.
3. /DQ7 is the output of the complement of the data written to the device.
4. D
is the output of the data written to the device.
5. Figure indicates last two bus cycles of four bus cycle sequence.
Figure 9. AC Waveforms Program Operations
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY29F080T70 | 8 Megabit (1M x 8), 5 Volt-only, Flash Memory |
| HY29F080 | 8 Megabit (1M x 8), 5 Volt-only, Flash Memory |
| HY29F080G12 | 8 Megabit (1M x 8), 5 Volt-only, Flash Memory |
| HY29F080G70 | 8 Megabit (1M x 8), 5 Volt-only, Flash Memory |
| HY29F080G90 | 8 Megabit (1M x 8), 5 Volt-only, Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY29F040AC-12 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:512K x 8-bit CMOS 5.0 volt-only, Sector Erase Flash Memory |
| HY29F040AC-12E | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:512K x 8-bit CMOS 5.0 volt-only, Sector Erase Flash Memory |
| HY29F040AC-12I | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:512K x 8-bit CMOS 5.0 volt-only, Sector Erase Flash Memory |
| HY29F040AC-15 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:512K x 8-bit CMOS 5.0 volt-only, Sector Erase Flash Memory |
| HY29F040AC-15E | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:512K x 8-bit CMOS 5.0 volt-only, Sector Erase Flash Memory |
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