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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HY57V161610DTC-6I |
| 廠商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 1M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.5 ns, PDSO50 |
| 封裝： | 0.400 X 0.825 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-50 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/11頁(yè) |
| 文件大小： | 574K |
| 代理商： | HY57V161610DTC-6I |
HY57V161610D-I
Rev. 0.3/Mar. 02
3
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM
1Mx16 Synchronous DRAM
Column Addr.
Latch & Counter
Burst Length
Counter
Refresh
Interval Timer
Refresh
Counter
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
Address
Register
I/O Control
Test Mode
Mode Register
Self Refresh Counter
Column Decoder
Sense AMP & I/O gates
512Kx16
Bank 0
Column Decoder
Sense AMP & I/O gates
512Kx16
Bank 1
RAS
CAS
CS
WE
UDQM
LDQM
CKE
Precharge
Overflow
Column Active
Row Active
Address[0:10]
CLK
BA(A11)
S
R
R
A
R
D
R
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY57V161610DTC-7I | 2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM |
| HY57V161610ETP-I | 2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM |
| HY57V161610DTC-10 | 2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM |
| HY57V161610DTC-15 | 2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM |
| HY57V161610D | 2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY57V161610DTC7 | 制造商:HYNIX 功能描述:* |
| HY57V161610DTC-7 | 制造商:SK Hynix Inc 功能描述: 制造商:HYUNDAI 功能描述:SDRAM, 1M x 16, 50 Pin, Plastic, TSOP |
| HY57V161610DTC-7I | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM |
| HY57V161610DTC-8 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM |
| HY57V161610DTC-I | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:1Mx16|3.3V|4K|55/6/7/10|SDR SDRAM - 16M |
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