參數(shù)資料
型號(hào)： HYB 39S256800T
廠商： SIEMENS AG
英文描述： 256-Mbit(4banks × 8MBit × 8) Synchronous DRAM(256M(4列 × 8M位 × 8)同步動(dòng)態(tài)RAM)
中文描述： 256兆位（4banks × 8MBit × 8）同步DRAM（256M（4列× 8米× 8位）同步動(dòng)態(tài)RAM）的
文件頁(yè)數(shù)： 25/47頁(yè)
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代理商： HYB 39S256800T
HYB39S256400/800/160T
256MBit Synchronous DRAM
Semiconductor Group
24
5. Burst Write Operation
(
Extra data is ignored after
termination of a Burst.
DIN A3
T4
are registered on the same clock edge.
The first data element and the Write
NOP
(Burst Length = 4, CAS latency = 2, 3)
T0
Command
DQ’s
CLK
DIN A1
T2
NOP
DIN A0
Write A
T1
DIN A2
NOP
T3
SPT03790
T6
NOP
NOP
T5
NOP
NOP
T7
NOP
T8
don’t care
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PDF描述
HYB 39S256400AT 256-Mbit(4banks × 16MBit × 4) Synchronous DRAM(256M(4列 × 16M位 × 4)同步動(dòng)態(tài)RAM)
HYB 39S256800AT 256-Mbit(4banks × 8MBit × 8) Synchronous DRAM(256M(4列 × 8M位 × 8)同步動(dòng)態(tài)RAM)
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HYB 39S256400CT 256-Mbit(4banks × 16MBit × 4) Synchronous DRAM(256M(4列 × 16M位 × 4)同步動(dòng)態(tài)RAM)
HYB 39S256800CT 256-Mbit(4banks × 8MBit × 8) Synchronous DRAM(256M(4列 × 8M位 × 8)同步動(dòng)態(tài)RAM)
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