- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄370744 > HYB 39S64XXX0BTL (SIEMENS AG) 64MBitSynchronous DRAM(64M位同步動(dòng)態(tài)RAM(低功耗版)) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HYB 39S64XXX0BTL |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 64MBitSynchronous DRAM(64M位同步動(dòng)態(tài)RAM(低功耗版)) |
| 中文描述： | 64MBitSynchronous的DRAM（6400位同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（低功耗版）） |
| 文件頁數(shù)： | 26/53頁 |
| 文件大?。?/td> | 354K |
| 代理商： | HYB 39S64XXX0BTL |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁當(dāng)前第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁
HYB39S64400/800/160BT(L)
64MBit Synchronous DRAM
Semiconductor Group
25
5. Burst Write Operation
Extra data is ignored after
termination of a Burst.
DIN A3
T4
are registered on the same clock edge.
The first data element and the Write
NOP
(Burst Length = 4, CAS latency = 2, 3)
T0
Command
DQ’s
CLK
DIN A1
T2
NOP
DIN A0
Write A
T1
DIN A2
NOP
T3
SPT03790
T6
NOP
NOP
T5
NOP
NOP
T7
NOP
T8
don’t care
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB 39S64400CT | 64MBit Synchronous DRAM(64M位(4列 × 4M位 × 4)同步動(dòng)態(tài)RAM) |
| HYB 39S64800CT | 64MBit Synchronous DRAM(64M位(4列 × 2M位 × 8)同步動(dòng)態(tài)RAM) |
| HYB 5118165BST-50 | 1M×16-Bit Dynamic RAM(1M×16位 動(dòng)態(tài)RAM(快速頁面模式)) |
| HYB3118165BSJ-60 | High-Speed Fully-Differential Amplifiers 8-MSOP -40 to 85 |
| HYB3118165BST-50 | High-Speed Fully-Differential Amplifiers 8-MSOP -40 to 85 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB39S64XXX0CTL-8 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:64-MBit Synchronous DRAM |
| HYB39SC128160FE | 制造商:QIMONDA 制造商全稱:QIMONDA 功能描述:128-MBit Synchronous DRAM |
| HYB39SC128160FE-6 | 制造商:QIMONDA 制造商全稱:QIMONDA 功能描述:128-MBit Synchronous DRAM |
| HYB39SC128160FE-7 | 制造商:QIMONDA 制造商全稱:QIMONDA 功能描述:128-MBit Synchronous DRAM |
| HYB39SC128800FE | 制造商:QIMONDA 制造商全稱:QIMONDA 功能描述:128-MBit Synchronous DRAM |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。