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參數(shù)資料
| 型號： | HYB 5116400BJ-50 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 4M×4-Bit Dynamic RAM(4M×4位 動態(tài) RAM) |
| 中文描述： | 4米× 4位動態(tài)隨機(jī)存儲器（4米× 4位動態(tài)內(nèi)存） |
| 文件頁數(shù)： | 25/26頁 |
| 文件大?。?/td> | 138K |
| 代理商： | HYB 5116400BJ-50 |
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HYB 5116(7)400BJ-50/-60
HYB 3116(7)400BJ/BT-50/-60
4M
×
4 DRAM
Semiconductor Group
25
1998-10-01
Package Outlines
0
-0.25
8.63
±0.2
6.8
-
3
±
2
1.27
0.85 max
-0.1
0.51
Index Marking
-0.25
17.27
26
1
1)
0.1
0.25
0
30
7.75
-0.25
0
+
21
6
19
8
14
13
0.18
15.24
24x
A
B
0.18
B
M
0.25
B
A
1) Does not include plastic or metal protrusions of 0.15 max per side
M
1)
Plastic Package P-SOJ-26/24-1
(SMD) (300mil)
(Plastic small outline J-leaded)
G
Sorts of Packing
Package outlines for tubes, trays etc. are contained in our
Data Book “Package Information”.
SMD = Surface Mounted Device
Dimensions in mm
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB 5116400BJ-60 | 4M×4-Bit Dynamic RAM(4M×4位 動態(tài) RAM) |
| HYB 5117400BJ-50 | 4M×4-Bit Dynamic RAM(4M×4位 動態(tài) RAM) |
| HYB 3116405BJ-50 | 4M×4-Bit Dynamic RAM(4k-Refresh,Hyper Page Mode - EDO)(4M×4位 動態(tài) RAM (4K刷新,超級頁面EDO)) |
| HYB 3116405BJ-60 | 4M×4-Bit Dynamic RAM(4k-Refresh,Hyper Page Mode - EDO)(4M×4位 動態(tài) RAM (4K刷新,超級頁面EDO)) |
| HYB 3116405BT-50 | 4M×4-Bit Dynamic RAM(4k-Refresh,Hyper Page Mode - EDO)(4M×4位 動態(tài) RAM (4K刷新,超級頁面EDO)) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB5116400BJ-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 4-Bit Dynamic RAM 2k & 4k Refresh |
| HYB5116400BJ-50- | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB5116400BJ-50-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 4-Bit Dynamic RAM 2k & 4k Refresh |
| HYB5116400BJ-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 4-Bit Dynamic RAM 2k & 4k Refresh |
| HYB5116400BJ-70 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 4-Bit Dynamic RAM |
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